[发明专利]半导体的来料检验方法

权利要求书

1.一种半导体的来料检验方法，其特征在于：所述半导体包括FR107、IN4007、IN4148、6V2、DB3、可控硅和三极管；

所述半导体的来料检验方法包括以下步骤：

步骤1：目测：半导体标识是否清晰，有无生锈、破损等情况；

步骤2：仪测：在晶体管特性图示仪设置参数后，将半导体放在测试台上检测其耐压，FR107的耐压要求≥1200V，IN4007的耐压要求≥1400V，IN4148的耐压要求≥140V，6V2的耐压要求6.2V±5％，DB3的耐压要求32V±5％、可控硅和三极管的耐压要求≥450V；

步骤3：将抽检情况记录在来料检验报告表上，并判定允收或退货。

2.根据权利要求1所述的半导体的来料检验方法，其特征在于：FR107和IN4007检测前，需将晶体管特性图示仪的参数设置为：输出电压为5000V、电压度为200V、电流度为1mA、幅度/级为1mA、功耗电阻为20KΩ、输入为零电流、作用为关、测试为关、峰值电压为2-3。

3.根据权利要求1所述的半导体的来料检验方法，其特征在于：IN4148检测前，需将晶体管特性图示仪的参数设置为：输出电压为500V、电压度为20V、电流度为1mA、幅度/级为1mA、功耗电阻为5KΩ、输入为零电流、作用为关、测试为B、峰值电压为2-3。

4.根据权利要求1所述的半导体的来料检验方法，其特征在于：6V2检测前，需将晶体管特性图示仪的参数设置为：输出电压为10V、电压度为10V、电流度为1mA、幅度/级为1mA、功耗电阻为20KΩ、输入为零电流、作用为关、测试为B、峰值电压为4-5。

5.根据权利要求1所述的半导体的来料检验方法，其特征在于：DB3检测前，需将晶体管特性图示仪的参数设置为：输出电压为50V、电压度为5V、电流度为1mA、幅度/级为1mA、功耗电阻为5KΩ、输入为零电流、作用为关、测试为B、峰值电压为4-5。

6.根据权利要求1所述的半导体的来料检验方法，其特征在于：可控硅和三级管检测前，需将晶体管特性图示仪的参数设置为：输出电压为500V、电压度为50V、电流度为1mA、幅度/级为1mA、功耗电阻为20KΩ、输入为零电流、作用为正常、测试为A、峰值电压为6-8。

7.根据权利要求6所述的半导体的来料检验方法，其特征在于：可控硅用可控硅简易检测仪检测其保护作用状况。