[发明专利]以激光积层方式制造的非接触式吸盘以及非接触式吸盘装置在审
| 申请号： | 201710346345.6 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108962808A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 何毓民 | 申请（专利权）人： | 技鼎股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非接触式吸盘 积层 吸持 吸附方向 喷流孔 激光 薄型结构 预设 制造 非接触式 喷射气流 吸附基板 吸盘本体 布设 | ||
1.一种非接触式吸盘，以激光积层的方式制造而形成吸盘本体以及多数个喷流孔，所述的非接触式吸盘在预设的吸附方向上具有薄型结构。
2.如权利要求1所述的非接触式吸盘，其特征在于所述的非接触式吸盘在所述的吸附方向上的厚度为小于等于1.2公厘。
3.如权利要求1所述的非接触式吸盘，其特征在于所述的非接触式吸盘在所述的吸附方向上的厚度为小于等于0.5公厘。
4.一种以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，包含：
吸持构件；以及
非接触式吸盘，布设于所述的吸持构件，所述的非接触式吸盘以激光积层的方式而在预设的吸附方向上具有连接所述的吸持构件的薄型结构，所述的非接触式吸盘形成有多数个喷流孔，其特征在于所述的吸持构件通过自所述的非接触式吸盘的所述的喷流孔喷射气流，而沿所述的吸附方向非接触式地吸附基板。
5.如权利要求4所述的以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，其特征在于所述的非接触式吸盘在所述的吸附方向上的厚度为小于等于1.2公厘。
6.如权利要求5所述的以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，其特征在于所述的非接触式吸盘在所述的吸附方向上的厚度为小于等于0.5公厘。
7.如权利要求4所述的以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，其特征在于所述的吸持构件为V形，具有向前凸伸的二个叉尖件。
8.如权利要求4所述的以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，其特征在于所述的非接触式吸盘为多数个，布设于所述的吸持构件，所述的吸持构件通过自所述的多数个非接触式吸盘的所述的喷流孔喷射气流，而沿所述的吸附方向非接触式地吸附所述的基板。
9.如权利要求8所述的以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，其特征在于所述的多数个非接触式吸盘的吸附面位于共平面，所述的吸持构件通过所述的多数个非接触式吸盘的吸力而整平所述的基板。
10.如权利要求4所述的以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，还包括移动构件，连接所述的吸持构件，以移载所述的基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
