[发明专利]以激光积层方式制造的非接触式吸盘以及非接触式吸盘装置

说明书

本发明提供一种非接触式吸盘，以激光积层的方式制造而形成吸盘本体以及多数个喷流孔，该非接触式吸盘在预设的吸附方向上具有薄型结构，本发明并提供一种以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，包含吸持构件以及布设于该吸持构件的非接触式吸盘，该非接触式吸盘以激光积层的方式而在预设的吸附方向上具有连接该吸持构件的薄型结构，该非接触式吸盘形成有多数个喷流孔，其中该吸持构件通过自该非接触式吸盘的该喷流孔喷射气流，而沿该吸附方向非接触式地吸附基板。

技术领域

本发明涉及一种吸盘以及吸盘装置，特别是涉及一种以激光积层方式制造的非接触式吸盘以及非接触式吸盘装置。

背景技术

半导体晶圆通常由硅或复数元素的化合物形成的单结晶材料所构成，广泛应用于制造电子零件材料。半导体晶圆的制造方式，首先将熔融的材料拉成单晶的圆柱状的铸块，再切片成基板状，并进行研磨以得到希望的厚度。然而，随着半导体产业的技术发展，为求更好的效能、更小的产品体积，半导体晶圆的厚度通常被限制在毫米的等级。这样薄的厚度，致使晶圆容易发生翘曲。特别是当晶圆放置在晶圆卡匣的时候，由于没有其他整平装置可整平晶圆，因此晶圆在卡匣中可能会出现大幅度的翘曲。

为了不碰伤晶圆，通常采用装有非接触式吸盘的机械手臂移动晶圆。即使如此，对于在晶圆卡匣中大幅翘曲的晶圆，即便是非接触式的机械手臂仍可能因为吸盘的厚度问题而意外碰触、损坏晶圆。

除此之外，由于非接触式吸盘利用气流的原理以吸附晶圆，故非接触式吸盘上的喷流孔的设计相当复杂。通常采用凿孔的方式在吸盘上形成喷流孔，然而非接触式吸盘的尺寸相当小，因此制造困难且耗费高成本。

发明内容

因此，为解决上述问题，本发明的目的即在提供一种以激光积层方式制造的非接触式吸盘以及非接触式吸盘装置。

本发明为解决已知技术的问题所采用的技术手段提供一种非接触式吸盘，以激光积层的方式制造而形成吸盘本体以及多数个喷流孔，该非接触式吸盘在预设的吸附方向上具有薄型结构。

在本发明的实施例中提供一种非接触式吸盘，该非接触式吸盘在该吸附方向上的厚度为小于等于1.2公厘。

在本发明的实施例中提供一种非接触式吸盘，该非接触式吸盘在该吸附方向上的厚度为小于等于0.5公厘。

本发明为解决已知技术的问题所采用的技术手段提供一种以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，包含：吸持构件；以及非接触式吸盘，布设于该吸持构件，该非接触式吸盘以激光积层的方式而在预设的吸附方向上具有连接该吸持构件的薄型结构，该非接触式吸盘形成有多数个喷流孔，其中该吸持构件通过自该非接触式吸盘的该喷流孔喷射气流，而沿该吸附方向非接触式地吸附基板。

在本发明的实施例中提供一种以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，该非接触式吸盘在该吸附方向上的厚度为小于等于1.2公厘。

在本发明的实施例中提供一种以激光积层方式制造的非接触式型吸盘装置，该非接触式吸盘在该吸附方向上的厚度为小于等于0.5公厘。

在本发明的实施例中提供一种以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，该吸持构件为V形，具有向前凸伸的二个叉尖件。

在本发明的实施例中提供一种以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，该非接触式吸盘为多数个，布设于该吸持构件，该吸持构件通过自该多数个非接触式吸盘的该喷流孔喷射气流，而沿该吸附方向非接触式地吸附该基板。

在本发明的实施例中提供一种以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，该多数个非接触式吸盘的吸附面位于一共平面，该吸持构件通过该多数个非接触式吸盘的吸力而整平该基板。

在本发明的实施例中提供一种以激光积层方式制造的非接触式吸盘装置，还包括移动构件，连接该吸持构件，以移载该基板。