[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括沿着第一方向设置的多个逻辑单元；

有源图案，其从所述衬底突出；以及

在所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层包括第一双扩散中断区域和第二双扩散中断区域，所述第一双扩散中断区域具有沿着所述第一方向测量的第一宽度并设置在一对相邻的逻辑单元之间，所述第二双扩散中断区域具有沿着所述第一方向测量的大于所述第一宽度的第二宽度并设置在另一对相邻的逻辑单元之间，

其中所述有源图案包括：

多对第一有源图案，每对中的第一有源图案沿着所述第一方向彼此间隔开并使所述第一双扩散中断区域插置在其间；以及

多对第二有源图案，每对中的第二有源图案沿着所述第一方向彼此间隔开并使所述第二双扩散中断区域插置在其间，

其中所述第一有源图案包括与所述第一双扩散中断区域的一侧相邻并沿着交叉所述第一方向的第二方向对准的第一端部，以及

其中所述第二有源图案包括与所述第二双扩散中断区域的一侧相邻的第二端部，并且其中所述第二端部中的一个沿着所述第一方向从所述第二端部中的另一个偏移。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二有源图案包括位于最外侧的最外面的有源图案和位于所述最外面的有源图案之间的至少一个内部有源图案，

其中所述至少一个内部有源图案的所述第二端部从所述最外面的有源图案的所述第二端部沿着所述第一方向横向地突出。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述最外面的有源图案中的至少一个具有沿着所述第一方向测量的比所述至少一个内部有源图案的长度更大的长度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述器件隔离层还包括设置在所述多个逻辑单元中的一个逻辑单元内的单扩散中断区域，

其中所述至少一个内部有源图案包括沿着所述第一方向与所述单扩散中断区域相邻的第三端部，以及

其中所述单扩散中断区域沿着所述第二方向与所述最外面的有源图案中的至少一个相邻。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括沿着所述第二方向延伸的栅极图案，

其中所述栅极图案中的两个交叠所述第一双扩散中断区域，并且所述栅极图案中的三个或更多个交叠所述第二双扩散中断区域。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述栅极图案中的一些跨过所述有源图案。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述器件隔离层还包括至少一个单扩散中断区域，所述至少一个单扩散中断区域具有沿着所述第一方向测量的小于所述第二宽度的第三宽度并设置在逻辑单元内。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第三宽度小于所述第一宽度。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述至少一个单扩散中断区域的沿着所述第二方向测量的长度小于所述第一双扩散中断区域的长度或所述第二双扩散中断区域的长度。