[发明专利]多孔质陶瓷结构体

说明书

技术领域

本发明涉及多孔质陶瓷结构体，并涉及适合于实现含有该多孔质陶瓷结构体的构成部件的低热传导率化的多孔质陶瓷结构体。

背景技术

作为填充到隔热件、膜等中的填料，有专利文献1～3中记载的组合物、中空粒子等。

专利文献1中记载有能够形成热传导率低的多孔质有机聚硅氧烷固化物的固化性有机聚硅氧烷组合物。

专利文献2中记载有使用采用了低热传导率的中空粒子的涂料来形成低热传导率的膜的内容。

专利文献3中记载有如下内容：通过静电相互作用使添加物粒子吸附于基料粒子表面，由此制造纳米涂覆而得到的复合粒子，进而使用该复合粒子经由通常的粉末冶金工艺来制造复合材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-155946号公报

专利文献2：日本特开2004-10903号公报

专利文献3：日本特开2010-64945号公报

发明内容

对于专利文献1及2中记载的技术，低热传导率化不充分。对于专利文献3中记载的技术，由于打算通过粉末冶金来制作复合材料，所以需要在基料粒子上涂覆粒径为纳米级的微粒。因此，基料粒子间的距离变短，这种情况下，低热传导率化仍旧不充分。

如果添加到粘结剂中的粒子较小，则难以使粒子均匀地分散在粘结剂中。另外，由于需要在对预先添加有粒子的粘结剂进行烧成而制成块体后设置在例如对象物上，所以很难设置在对象物的一部分区域或者沿着复杂的形状进行设置。

本发明是考虑以上课题而进行实施的，目的是提供一种多孔质陶瓷结构体，该多孔质陶瓷结构体能够实现低热传导率化，并且，能够使用粘结剂等而直接设置于对象物等，且能够使块体的设置变得容易。

[1]本发明所涉及的多孔质陶瓷结构体的特征在于，包括：1个片材和粘着在所述片材上的多个多孔质陶瓷粒子，邻接的所述多孔质陶瓷粒子彼此之间的间隙为10～80μm。

[2]本发明中，优选：当邻接的所述多孔质陶瓷粒子彼此之间的最大间隙为dmax、所述多孔质陶瓷粒子的最大厚度为tmax时，纵横尺寸比(dmax/tmax)为0.02以上。

[3]本发明中，优选：当邻接的所述多孔质陶瓷粒子彼此之间的间隙中、在与所述片材接触的表面的间隙为da、在与所述片材接触的表面的相反侧表面的间隙为db时，满足da≤db。

[4]这种情况下，所述间隙da和所述间隙db可以满足da<db，且邻接的所述多孔质陶瓷粒子彼此对置的侧面间的宽度逐渐缩窄。

[5]或者，所述间隙da和所述间隙db可以满足da<db，且邻接的所述多孔质陶瓷粒子彼此对置的侧面为台阶状。

[6]或者，所述间隙da和所述间隙db可以满足da＝db，且邻接的所述多孔质陶瓷粒子彼此对置的侧面平行。

[7]本发明中，优选所述多孔质陶瓷粒子的气孔率为20～99％。

[8]本发明中，优选所述多孔质陶瓷粒子的平均气孔径为500nm以下。

[9]本发明中，优选所述多孔质陶瓷粒子的热传导率低于1.5W/mK。

[10]本发明中，优选所述多孔质陶瓷粒子的热容量为1000kJ/m³K以下。

根据本发明所涉及的多孔质陶瓷结构体，能够实现低热传导率化，并且，能够使用粘结剂等而直接设置于对象物等，且能够使块体的设置变得容易。

附图说明

图1是表示本实施方式所涉及的多孔质陶瓷结构体的立体图。

图2A是表示以1种平面形状构成多孔质陶瓷集合体的例子的俯视图，图2B是表示以2种平面形状构成多孔质陶瓷集合体的例子的俯视图，图2C是表示以3种平面形状构成多孔质陶瓷集合体的例子的俯视图。

图3A是表示2个多孔质陶瓷粒子的平面形状中分别包含曲线的例子的俯视图，图3B是表示6个多孔质陶瓷粒子的平面形状中分别包含曲线的例子的俯视图。

图4A是表示多孔质陶瓷粒子间的间隙较宽且邻接的多孔质陶瓷粒子彼此对置的侧面平行的情形的截面图，图4B是表示多孔质陶瓷粒子间的间隙较宽且邻接的多孔质陶瓷粒子彼此对置的侧面间的宽度逐渐缩窄的情形的截面图，图4C是表示多孔质陶瓷粒子间的间隙较宽且邻接的多孔质陶瓷粒子彼此对置的侧面为台阶状的情形的截面图。

图5是表示本实施方式所涉及的多孔质陶瓷结构体的第一制造方法的工序图。

图6是表示刮刀装置之一例的示意图。