[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.半导体装置的制造方法，包括：

(a)准备具有半导体基板、上述半导体基板上的绝缘层、上述绝缘层上的半导体层、上述半导体层上的第1绝缘膜、贯通上述第1绝缘膜、上述半导体层和上述绝缘层而到达上述半导体基板的沟槽、和埋入上述沟槽内的第2绝缘膜的基板的工序，

在此，上述绝缘层、上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜由相同的材料构成，

(b)上述(a)工序后，形成覆盖上述基板的第1区域的上述第1绝缘膜而且露出上述基板的与上述第1区域不同的第2区域的上述第1绝缘膜的第1掩膜层的工序，

(c)上述(b)工序后，使用上述第1掩膜层作为蚀刻掩膜，通过蚀刻除去上述第2区域的上述第1绝缘膜，使上述第2区域的上述半导体层露出的工序，

(d)上述(c)工序后，使用上述第1掩膜层作为蚀刻掩膜，通过各向同性的干法蚀刻除去上述第2区域的上述半导体层，使上述第2区域的上述绝缘层露出的工序，

(e)上述(d)工序后，使用上述第1掩膜层作为蚀刻掩膜，蚀刻上述第2区域的上述绝缘层，使上述第2区域的上述绝缘层的厚度变薄的工序，

(f)上述(e)工序后，除去上述第1掩膜层的工序，

(g)上述(f)工序后，向上述第1区域的上述半导体基板离子注入杂质，形成第1半导体区域，向上述第2区域的上述半导体基板离子注入杂质，形成第2半导体区域的工序，

(h)上述(g)工序后，通过湿法蚀刻除去上述第1区域的上述第1绝缘膜和上述第2区域的上述绝缘层，由此使上述第1区域的上述半导体层和上述第2区域的上述半导体基板露出的工序，

(i)上述(h)工序后，在上述第1区域的上述半导体层上形成第1晶体管，在上述第2区域的上述半导体基板上形成第2晶体管的工序。

2.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在上述(c)工序中，通过干法蚀刻除去上述第2区域的上述第1绝缘膜，

在上述(e)工序中，通过干法蚀刻，使上述第2区域的上述绝缘层的厚度变薄，

在上述(c)工序和上述(d)工序中，使用的蚀刻气体不同，

在上述(d)工序和上述(e)工序中，使用的蚀刻气体不同。

3.权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述(c)工序中，在与上述第1绝缘膜相比上述半导体层难以蚀刻的条件下，通过干法蚀刻除去上述第2区域的上述第1绝缘膜，使上述第2区域的上述半导体层露出，

上述(d)工序中，在与上述半导体层相比上述绝缘层难以蚀刻的条件下，通过干法蚀刻除去上述第2区域的上述半导体层，使上述第2区域的上述绝缘层露出，

使用上述(e)工序的蚀刻条件时的上述绝缘层的蚀刻速度大于使用上述(d)工序的蚀刻条件时的上述绝缘层的蚀刻速度。

4.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在上述(c)工序和上述(e)工序中，分别进行各向异性的干法蚀刻。

5.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述(e)工序中的上述绝缘层的蚀刻速度小于上述(c)工序中的上述第1绝缘膜的蚀刻速度。

6.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述第1绝缘膜、上述绝缘层和上述第2绝缘膜包含氧化硅。

7.权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述半导体层包含硅。

8.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在俯视下，在上述第1区域和上述第2区域的边界配置上述第2绝缘膜。

9.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在上述(a)工序中准备的上述基板中，上述第1绝缘膜比上述绝缘层薄。