[发明专利]一种微孔铽配位聚合物荧光识别材料及制备方法在审
| 申请号： | 201710350292.5 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107057083A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 邓冬生;刘萍;吉保明 | 申请（专利权）人： | 洛阳师范学院 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;C09K11/06 |
| 代理公司： | 洛阳明律专利代理事务所(普通合伙)41118 | 代理人： | 智宏亮 |
| 地址： | 471934 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微孔 配位聚合 荧光 识别 材料 制备 方法 | ||
1.一种微孔铽配位聚合物荧光识别材料，其特征是：聚合物结构简式为：[Tb2(pdc)3]n，其中含有3,5-吡啶二羧酸配体，中心铽离子的配位数为8，呈现出扭曲的四方反棱柱几何构型；在八个直接与Tb3+配位的O原子中，有七个O原子来自六个不同的3,5-吡啶二羧酸配体，一个来自DMF溶剂分子，
沿着晶体a轴方向，整个分子骨架呈现出大小为6.3 × 8.5 Å2规整的孔洞结构，未配位的吡啶基团分布于孔洞的四周，并指向孔道中心。
2.根据权利要求1所述的微孔铽配位聚合物荧光识别材料，其特征是：所述的配位聚合物晶体属于立方晶系，空间群为Pnma，晶胞参数为a = 8.5395(8) Ǻ，b = 28.629(3) Ǻ，c= 15.9093(15) Ǻ，α = β = γ = 90°，V = 3889.5(6) Ǻ3。
3.根据权利要求1所述的微孔铽配位聚合物荧光识别材料，其特征是：所述的配位聚合物利用孔洞中未配位的吡啶基团吸附亲N原子的过渡金属离子，从而改变配位聚合物本身的荧光强度，配位聚合物吸附过渡金属离子后，荧光发生猝灭效应。
4.一种如权利要求1所述的微孔铽配位聚合物荧光识别材料制备方法，其特征是：将3,5-吡啶二羧酸配体（简称H2pdc）和TbCl3·6H2O加入N,N-二甲基甲酰胺（DMF）溶液中，之后将混合液置于耐压的套管中，密闭后于油浴中130°C加热24小时，自然冷却至室温，得到黄色晶体，再将得到的晶体于真空下150°C抽24小时，得到一种新型微孔铽配位聚合物，其结构式为[Tb2(pdc)3]n。
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