[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201710351990.7 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN107481761A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 岩濑贵司;松原谦;三谷秀德;佐藤弘 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C16/12;G11C5/14 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 李兰,孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种接收电源的半导体装置,包括:
存储器单元,所述存储器单元包括能够存储数据的多个存储器元件;
电源检测电路,所述电源检测电路检测所述电源的切断;以及
电容器,所述电容器能够在所述电源切断时临时提供操作电压来代替所述电源,
其中,所述存储器单元包括
电压生成单元,所述电压生成单元在所述电源切断时基于来自所述电容器的所述操作电压,来生成多个写入电压,以及
写入电路,所述写入电路基于由所述电压生成单元生成的所述写入电压,对所述存储器元件执行保存数据的数据写入。
2.根据权利要求1所述的装置,
其中,所述写入电路包括
多个驱动器,所述多个驱动器在接收到由所述电压生成单元生成的所述写入电压时操作,
多个写入电压线,所述多个写入电压线与所述驱动器相对应地被提供,以及
多个晶体管,所述多个晶体管分别被提供在所述驱动器和所述写入电压线之间,并且
其中,在所述驱动器对所述写入电压线充电之后,所述晶体管被设定为非导通状态。
3.根据权利要求1所述的装置,还包括:
内部电源电路,所述内部电源电路在从外部接收到电源时,向内部电路供应电源,
其中,所述电源检测电路检测来自所述内部电源电路的电源的切断。
4.根据权利要求1所述的装置,
其中,所述保存数据包括保存代码,并且
上述装置还包括恢复处理单元,所述恢复处理单元在所述电源的恢复时确定所述保存代码是否被存储在所述存储器单元中,并且当存储了所述保存代码时基于所述保存数据执行恢复操作。
5.根据权利要求4所述的装置,
其中,当未存储所述保存数据时,所述恢复处理单元执行正常恢复操作。
6.根据权利要求4所述的装置,
其中,所述恢复处理单元从所述电源检测电路接收电源恢复信号。
7.一种接收电源的半导体装置,包括:
模拟电路;
模拟电压生成电路,所述模拟电压生成电路生成要供应给所述模拟电路的电压;
存储器单元,所述存储器单元包括能够存储数据的多个存储器元件;
电源检测电路,所述电源检测电路检测所述电源的切断;以及
电压生成单元,所述电压生成单元在所述电源切断时基于由所述模拟电压生成电路生成的电压,来生成写入电压,
其中,所述存储器单元包括写入电路,所述写入电路基于由所述电压生成单元生成的所述写入电压,对所述存储器元件执行保存数据的数据写入。
8.根据权利要求7所述的装置,
其中,所述写入电路包括
多个驱动器,所述多个驱动器在接收到由所述电压生成单元生成的所述写入电压时操作,
多个写入电压线,所述多个写入电压线分别与所述驱动器相对应地被提供,以及
多个晶体管,所述多个晶体管分别被提供在所述驱动器和所述写入电压线之间,
其中,在所述驱动器对所述写入电压线充电之后,所述晶体管被设定为非导通状态。
9.根据权利要求7所述的装置,还包括
内部电源电路,所述内部电源电路在从外部接收到电源时,向内部电路供应电源,
其中,所述电源检测电路检测来自所述内部电源电路的电源的切断。
10.根据权利要求7所述的装置,
其中,所述保存数据包括保存代码,并且
上述装置还包括恢复处理单元,所述恢复处理单元在所述电源恢复时确定所述保存代码是否被存储在所述存储器单元中,并且当存储了所述保存代码时基于所述保存数据执行恢复操作。
11.根据权利要求10所述的装置,
其中,当未存储所述保存数据时,所述恢复处理单元执行正常恢复操作。
12.根据权利要求10所述的装置,
其中,所述恢复处理单元从所述电源检测电路接收电源恢复信号。
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