[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201710352130.5 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN108122978A | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 马志宇;李承翰;潘正扬;张世杰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/36 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 促进层 半导体装置 源极/漏极 第二材料 第一材料 掺杂的 凹陷 晶体管 埋置 源极/漏极区 含掺质 外延层 掺质 基板 掺杂 | ||
【权利要求书】:
1.一种半导体装置,包括:
一基板,具有一凹陷形成其中;
一掺杂的外延形成于该凹陷中,且该掺杂的外延包括:多个第一材料层;以及一或多个促进层,包括一第二材料,且每一该或该些促进层位于两个该些第一材料层之间,
其中该掺杂的外延中的掺质浓度自一层状物至另一层状物逐渐改变。
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