[发明专利]芯片封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201710352155.5 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN107622982B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 陈威宇;黄立贤;苏安治;陈宪伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/07 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种芯片封装结构,包括︰
一第一芯片、一第二芯片、一第三芯片及一第四芯片,其中该第二芯片位于该第一芯片与该第三芯片之间以及位于该第四芯片与该第三芯片之间,从该第一芯片、该第二芯片、该第三芯片及第四芯片的上视角度,该第一芯片的一第一侧壁连续性延伸跨越该第二芯片的一第二侧壁,该第二芯片部分重叠于该第一芯片与该第四芯片,且该第一芯片的一下表面、该第四芯片的一下表面共平面;
一第一模塑层围绕该第一芯片;
一第二模塑层围绕该第二芯片;
一第一绝缘层位于该第一模塑层与该第二模塑层之间且位于该第一芯片与该第二芯片之间,其中该第一模塑层的一侧壁、该第二模塑层的一侧壁及该第一绝缘层的一侧壁实质上为共平面;以及
一第三模塑层围绕该第三芯片、该第一模塑层、该第二模塑层及该第一绝缘层;
一第一导电柱体位于该第一芯片的正上方且穿过该第二模塑层;
一第二导电柱体位于该第二芯片的正上方且穿过该第三模塑层;以及
一第三导电柱体位于该第一导电柱体的正上方且穿过该第三模塑层,其中该第二导电柱体的高度与该第三导电柱体的高度相同。
2.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该第一芯片的一下表面、该第一模塑层的一下表面及该第三模塑层的一下表面为共平面。
3.如权利要求1所述的芯片封装结构,还包括一第二绝缘层位于该第二模塑层及该第二芯片上方,以将该第二芯片与该第三芯片隔开。
4.如权利要求3所述的芯片封装结构,其中该第二绝缘层的一侧壁与该第一模塑层的该侧壁、该第二模塑层的该侧壁及该第一绝缘层的该侧壁实质上为共平面。
5.如权利要求4所述的芯片封装结构,其中该第三模塑层直接接触该第二绝缘层的该侧壁。
6.如权利要求1所述的芯片封装结构,还包括一接线层位于该第三模塑层的一上表面及第三芯片的一上表面上方。
7.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该第三模塑层直接接触该第一模塑层的该侧壁、该第二模塑层的该侧壁及该第一绝缘层的该侧壁。
8.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该第三模塑层直接接触该第一绝缘层的该侧壁及该第一模塑层的该侧壁。
9.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该第二芯片侧向延伸超过该第三芯片的一侧壁。
10.一种芯片封装结构,包括:
一第一芯片、一第二芯片、一第三芯片及一第四芯片,其中该第二芯片位于该第一芯片与该第三芯片之间以及位于该第四芯片以及该第三芯片之间;
一第一模塑层围绕该第一芯片及该第二芯片,其中该第一模塑层为单层结构;
一第二模塑层围绕该第三芯片及该第一模塑层,其中该第一模塑层的一下表面及该第二模塑层的一下表面实质上为共平面,该第一芯片的一下表面与该第四芯片的一下表面共平面,且从该第一芯片、该第二芯片、该第三芯片、第四芯片的上视角度,该第二芯片部分重叠于该第一芯片与该第四芯片;
一第一导电柱体位于该第一芯片的正上方且穿过该第一模塑层;
一第二导电柱体位于该第二芯片的正上方且穿过该第二模塑层;以及
一第三导电柱体位于该第一导电柱体的正上方且穿过该第二模塑层,其中该第二导电柱体的高度与该第三导电柱体的高度相同。
11.如权利要求10所述的芯片封装结构,其中该第一芯片的一下表面、该第一模塑层的该下表面以及该第二模塑层的该下表面实质上为共平面。
12.如权利要求11所述的芯片封装结构,其中该第一模塑层的一上表面及该第一导电柱体的一上表面实质上为共平面。
13.如权利要求10所述的芯片封装结构,其中该第一模塑层及该第二模塑层由不同材料所构成。
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