[发明专利]芯片封装结构及其制造方法

说明书

一种芯片封装结构，芯片封装结构包括：一第一芯片、一第二芯片及一第三芯片。第二芯片位于第一芯片与第三芯片之间。此芯片封装结构包括一第一模塑层围绕第一芯片。此芯片封装结构包括一第二模塑层围绕第二芯片。此芯片封装结构包括一第三模塑层围绕第三芯片、第一模塑层及第二模塑层。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种芯片封装结构及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进展已经产生了多代IC。每一代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。然而，这些进展也已增加处理和制造IC的复杂度。

在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积的内连装置的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小部件(或线))却减小。这种按比例缩小工艺通常因生产效率提高及相关成本降低而带来了益处。

然而，由于特征部件(feature)尺寸不断减小，制造工艺变得更加难以实施。因此，在尺寸越来越小的情形下形成可靠的半导体装置成为了一种挑战。

发明内容

根据一些实施例，提供一种芯片封装结构，包括︰一第一芯片、一第二芯片及一第三芯片。第二芯片位于第一芯片与第三芯片之间。此芯片封装结构包括一第一模塑层围绕第一芯片。此芯片封装结构包括一第二模塑层围绕第二芯片。此芯片封装结构包括一第三模塑层围绕第三芯片、第一模塑层及第二模塑层。

根据一些实施例，本公开提供一种芯片封装结构，包括︰一第一芯片、一第二芯片及一第三芯片。第二芯片位于第一芯片与第三芯片之间。此芯片封装结构包括一第一模塑层围绕第一芯片及第二芯片。第一模塑层为单层结构。此芯片封装结构包括一第二模塑层围绕第三芯片及第一模塑层。第一模塑层的一第一下表面及第二模塑层的一第二下表面为共平面。

根据一些实施例，本公开提供一种芯片封装结构结构的制造方法，上述方法包括形成一模塑结构围绕一第一芯片及位于第一芯片上方的一第二芯片。上述方法包括将模塑结构、第一芯片及第二芯片设置于一承载基底上方。上述方法包括提供一第三芯片于第二芯片上。上述方法包括形成一第一模塑层于承载基底上方且围绕第三芯片及模塑结构。第一模塑层及承载基底由不同材料所构成。上述方法包括移除承载基底。

附图说明

图1A至图1H绘示出根据一些实施例的芯片封装结构的制造方法于不同阶段的剖面示意图。

图1C-1及图1H-1绘示出根据一些实施例的图1C及图1H中芯片封装结构的上视图。

图2A至图2H绘示出根据一些实施例的芯片封装结构的制造方法于不同阶段的剖面示意图。

图2B-1及图2H-1绘示出根据一些实施例的图2B及图2H中芯片封装结构的上视图。

附图标记说明：

100、400 封装体

100e 边缘

110、220 承载基底

120、230 粘着层

130、170、240 芯片结构

130a、132b、138a、162、170a、172a、178a、182、212、242a、248a、249a、254 上表面

132、172、242 芯片

132a、146、172b、186、256 下表面

134、174、244、262 介电层

136、176、246 接合垫

138、178、248 内连结构