[发明专利]一种以氟气为氟源制备氟化石墨烯薄膜的方法在审
申请号: | 201710353047.X | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN108946706A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 冯奕钰;彭聪;封伟;李瑀 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184 |
代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 王秀奎 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氟化石墨 薄膜 氟气 氟源 制备 氮气混合气体 制备氧化石墨 化学稳定性 氧化石墨烯 锂离子电池 后处理 薄膜产物 鳞片石墨 屏障材料 热稳定性 一步反应 分散液 可用 | ||
1.一种以氟气为氟源制备氟化石墨烯薄膜的方法,其特征在于,按照下述步骤进行:
步骤1,将氧化石墨烯分散液置于模具中予以干燥,制备氧化石墨烯薄膜;
步骤2,将步骤1制备的氧化石墨烯薄膜置于反应釜中并通入由体积百分数20—40%的氟气和60—80%的氮气组成的混合气体,升温至40-120℃下反应1-4h,真空干燥即可得到产物氟化石墨烯薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种以氟气为氟源制备氟化石墨烯薄膜的方法,其特征在于,在步骤1中,氧化石墨烯分散液通过hummers法制备,并通过离心去水调配成浓度为2-20mg/ml氧化石墨烯分散液,溶剂为蒸馏水。
3.根据权利要求1所述的一种以氟气为氟源制备氟化石墨烯薄膜的方法,其特征在于,在步骤1中,50—60摄氏度下干燥至少2小时,优选4—6小时,以制备氧化石墨烯薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种以氟气为氟源制备氟化石墨烯薄膜的方法,其特征在于,在步骤2中,选用体积百分数20—30%的氟气和60—70%的氮气组成的混合气体,升温至80-120℃下反应1-4h。
5.根据权利要求1所述的一种以氟气为氟源制备氟化石墨烯薄膜的方法,其特征在于,在步骤2中,在真空条件,50—60摄氏度下干燥10—12小时。
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