[发明专利]改善PERC高效电池片外观的洗磷工艺

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池片术领域，尤其是一种改善PERC高效电池片外观的洗磷工艺。

背景技术

太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源。也是清洁能源，不产生任何环境污染。近年来，太阳能被人类广泛应用，尤其在光伏发电方面，发展迅速，通过太阳能电池片，将太阳能转换为电能。太阳能电池片的生产制造工艺较为复杂，在磷扩散过程中，硅片表面会形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃(PSG)。磷硅玻璃增加了发射区电子的复合，导致少子寿命降低；在空气中容易受潮，导致电流降低和功率衰减；磷硅玻璃也容易使PECVD镀膜后产生色差；

在链式洗磷工序去除磷硅玻璃时，经过蚀刻槽，碱槽，酸槽后的硅片直接用纯水冲洗后烘干，印刷烧结后电池片表面会出现外观不良，呈现严重的白点和白圈，效率偏低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：为了解决现有技术中的链式洗磷工序去除磷硅玻璃时，容易导致印刷烧结后电池片表面会出现外观不良，呈现严重的白点和白圈，效率偏低的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种改善PERC高效电池片外观的洗磷工艺，该工艺包括以下步骤：

a、首先将硅片放入蚀刻槽进行蚀刻，去除硅片背面PN结，进行背面抛光；

b、再将蚀刻后的硅片放入水洗槽Ⅰ中用纯水进行清洗，把反应物和残酸冲洗掉，避免污染；

c、将清洗后的硅片放入碱槽进行碱洗，清除多孔硅及中和残酸；

d、然后将碱洗后的硅片放入循环加热的过氧化氢槽进行清洗，清洗硅片表面的有机物，其中，过氧化氢的浓度控制在40％±20％，过氧化氢槽内的温度控制在70℃±15℃，当过氧化氢槽内的温度低于设定温度70℃±15℃时，过氧化氢槽内自动加热；

e、将去除表面有机物后的硅片的放入水洗槽Ⅱ中用纯水进行清洗，把反应物和残碱去除掉，避免污染；

f、接着将清洗后的硅片放入酸槽进行酸洗，去除硅片正面的磷硅玻璃；

d、然后将酸洗后硅片的放入水洗槽Ⅲ中用纯水进行清洗，把反应物和残酸去除掉，避免污染；

g、最后将清洗后的硅片烘置入烘干槽中烘干。

步骤a中，蚀刻槽中的溶液采用水、HF和HNO3复配而成。

步骤c中，碱槽中放置KOH溶液。

步骤f中，酸槽中放置HF溶液。

本发明的有益效果是：本发明与常规的洗磷工艺相比新增一个循环加热的过氧化氢槽体，所制成的电池片，Voc和FF均有所提升，从而提高了效率，提高了电池片的成品利用率，电池片表面无白圈或白点。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明实施例1的工艺流程简图；

图2是本发明对比例1的工艺流程简图。

具体实施方式

现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成，方向和参照(例如，上、下、左、右、等等)可以仅用于帮助对附图中的特征的描述。因此，并非在限制性意义上采用以下具体实施方式，并且仅仅由所附权利要求及其等同形式来限定所请求保护的主题的范围。

实施例1

一种改善PERC高效电池片外观的洗磷工艺，该工艺包括以下步骤：

a、首先将硅片放入蚀刻槽进行蚀刻，去除硅片背面PN结，进行背面抛光；

b、再将蚀刻后的硅片放入水洗槽Ⅰ中用纯水进行清洗，把反应物和残酸冲洗掉，避免污染；

c、将清洗后的硅片放入碱槽进行碱洗，清除多孔硅及中和残酸；

d、然后将碱洗后的硅片放入循环加热的过氧化氢槽进行清洗，清洗硅片表面的有机物，其中，过氧化氢的浓度控制在40％±20％，每处理1500±500片硅片添加800ml±500ml过氧化氢槽，过氧化氢槽内的温度控制在70℃±15℃，当过氧化氢槽内的温度低于设定温度70℃±15℃时，过氧化氢槽内自动加热；

e、将去除表面有机物后的硅片的放入水洗槽Ⅱ中用纯水进行清洗，把反应物和残碱去除掉，避免污染；

f、接着将清洗后的硅片放入酸槽进行酸洗，去除硅片正面的磷硅玻璃；

d、然后将酸洗后硅片的放入水洗槽Ⅲ中用纯水进行清洗，把反应物和残酸去除掉，避免污染；

g、最后将清洗后的硅片烘置入烘干槽中烘干。

步骤a中，蚀刻槽中的溶液采用水、HF和HNO3复配而成。

步骤c中，碱槽中放置KOH溶液。