[发明专利]一种蚀刻装置在审
申请号: | 201710356232.4 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN107026112A | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 彭少凯 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建,何娇 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 装置 | ||
1.一种蚀刻装置,包括真空传送腔体和制程腔体,所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻设置,所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻的腔体壁上设置有传递窗口,所述传递窗口用于待蚀刻基板在所述真空传送腔体与所述制程腔体之间的传递;
其特征在于,在真空传送腔体底部,靠近所述传递窗口的位置设置有破片侦测器,在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时,所述真空传送腔体内的压力大于所述制程腔体内的压力。
2.根据权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,所述真空传送腔体上设置有进气口,在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时,所述进气口通入气体,使得所述真空传送腔体内的压力大于与所述制程腔体内的压力。
3.根据权利要求2所述的蚀刻装置,其特征在于,所述进气口处还设置有气体分管,所述气体分管由所述进气口延伸至所述破片侦测器上侧,在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时,所述气体分管用于向破片侦测器处通气。
4.根据权利要求3所述的蚀刻装置,其特征在于,所述气体分管沿所述真空传送腔体侧壁设置。
5.根据权利要求4所述的蚀刻装置,其特征在于,所述气体分管出气口朝向远离所述制程腔体的方向。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的蚀刻装置,其特征在于,所述进气口通入的气体为氮气。
7.根据权利要求6所述的蚀刻装置,其特征在于,所述破片侦测器为扫描传感器。
8.根据权利要求1或2所述的蚀刻装置,其特征在于,所述破片侦测器有多个。
9.根据权利要求3到7中任一项所述的蚀刻装置,其特征在于,所述破片侦测器有多个。
10.根据权利要求9所述的蚀刻装置,其特征在于,所述气体分管包括多个出气口,所述出气口与所述破片侦测器相应设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造