[发明专利]一种蚀刻装置在审

专利信息
申请号: 201710356232.4 申请日: 2017-05-19
公开(公告)号: CN107026112A 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 彭少凯 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 代理人: 吴大建,何娇
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 蚀刻 装置
【权利要求书】:

1.一种蚀刻装置,包括真空传送腔体和制程腔体,所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻设置,所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻的腔体壁上设置有传递窗口,所述传递窗口用于待蚀刻基板在所述真空传送腔体与所述制程腔体之间的传递;

其特征在于,在真空传送腔体底部,靠近所述传递窗口的位置设置有破片侦测器,在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时,所述真空传送腔体内的压力大于所述制程腔体内的压力。

2.根据权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,所述真空传送腔体上设置有进气口,在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时,所述进气口通入气体,使得所述真空传送腔体内的压力大于与所述制程腔体内的压力。

3.根据权利要求2所述的蚀刻装置,其特征在于,所述进气口处还设置有气体分管,所述气体分管由所述进气口延伸至所述破片侦测器上侧,在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时,所述气体分管用于向破片侦测器处通气。

4.根据权利要求3所述的蚀刻装置,其特征在于,所述气体分管沿所述真空传送腔体侧壁设置。

5.根据权利要求4所述的蚀刻装置,其特征在于,所述气体分管出气口朝向远离所述制程腔体的方向。

6.根据权利要求1到5中任一项所述的蚀刻装置,其特征在于,所述进气口通入的气体为氮气。

7.根据权利要求6所述的蚀刻装置,其特征在于,所述破片侦测器为扫描传感器。

8.根据权利要求1或2所述的蚀刻装置,其特征在于,所述破片侦测器有多个。

9.根据权利要求3到7中任一项所述的蚀刻装置,其特征在于,所述破片侦测器有多个。

10.根据权利要求9所述的蚀刻装置,其特征在于,所述气体分管包括多个出气口,所述出气口与所述破片侦测器相应设置。

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