[发明专利]一种蚀刻装置

说明书

技术领域

本发明涉及TFT-LCD制造领域，具体涉及一种蚀刻装置。

背景技术

在TFT-LCD(Thin Film Transistor--Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示面板)的制造涉及众多制程。

由最初始玻璃基板经过各种制程，最终得到液晶显示面板。在这些制程中，每一制程都至关重要。因为生产程序较长，因此，只有尽量保证每一制程中的良品率，才能控制液晶面板的制造成本，从而提高市场竞争力。

由于面板或玻璃基板的越来越薄，因此，破片成为液晶面板生产过程中一种常见的事故。例如在干法蚀刻的制程中，采用的干蚀刻设备，这一设备如图1所示，包括L/C腔(loadlock chamber)、T/C腔(transfer chamber)和多个P/C腔(process chamber)。如图1所示为现有技术中常见的一种干法蚀刻设备的俯视示意图，该设备包括一个L/C腔，一个T/C腔和三个P/C腔(process chamber)。在蚀刻制程中，玻璃首先进入L/C腔，L/C腔为玻璃进出蚀刻设备的的窗口，L/C腔也是大气与真空切换单元；然后再从L/C腔进入到T/C腔，T/C腔为真空传送单元，作为进入蚀刻之前的真空环境的保证；最后，玻璃由T/C腔进入到P/C腔，P/C腔为真空低压生产环境，蚀刻使用的特种气体在P/C腔中产生等离子体(plasma)，等离子体与进入P/C腔发生反应，从而完成蚀刻。蚀刻完成之后，玻璃再按照进入的路线反向离开蚀刻设备。

在蚀刻过程中，玻璃在蚀刻设备的各个腔体之间传送，传送的过程是由设置在设备中的机械手臂完成的，相邻的腔体之间设置有允许玻璃通过的窗口。但是传送过程中难免会造成玻璃的损坏，在行业中称为破片。如果破片发生在P/C腔中，后果尤其严重，一般会造成以下的严重影响：(1)复机时间长，一般P/C腔破片处理复机时间超过24小时；(2)破片在交换片时一般会影响到其他正常片,使损失扩大。为改善破片对于蚀刻制程的严重影响，目前业界在T/C腔与P/C腔交界窗口(gate)的底部增加破片侦测器(scan sensor),用来侦测进出P/C腔的玻璃的的完整性，一旦侦测到破片，交换片动作即停止，从而避免损失扩大。

但是，在实际的使用过程中，交换片时由于P/C腔中的气流产生的扰流的影响，P/C腔内的生成物会有部分落在破片侦测器(scan sensor)上，进而导致探测传感器侦测不良，进而造成误报警。本发明针对P/C腔产生的扰流对于探测传感器造成的影响的技术问题，对破片侦测器进行一定的改进。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述技术问题，本发明公开一种蚀刻装置，包括真空传送腔体和制程腔体，所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻设置，所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻的腔体壁上设置有传递窗口，所述传递窗口用于待蚀刻基板在所述真空传送腔体与所述制程腔体之间的传递；在真空传送腔体底部，靠近所述传递窗口的位置设置有破片侦测器，在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时，所述真空传送腔体内的压力大于所述制程腔体内的压力。

在本发明的一个实施例中，所述真空传送腔体上设置有进气口，在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时，所述进气口通入气体，使得所述真空传送腔体内的压力大于与所述制程腔体内的压力。

在本发明的一个实施例中，所述进气口处还设置有气体分管，所述气体分管由所述进气口延伸至所述破片侦测器上侧，在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时，所述气体分管用于向破片侦测器处通气。

在本发明的一个实施例中，所述气体分管沿所述真空传送腔体侧壁设置。

在本发明的一个实施例中，所述气体分管出气口朝向远离所述制程腔体的方向。

在本发明的一个实施例中，所述进气口通入的气体为氮气。

在本发明的一个实施例中，所述破片侦测器为扫描传感器。

在本发明的一个实施例中，所述破片侦测器有多个。

在本发明的一个实施例中，所述气体分管包括多个出气口，所述出气口与所述破片侦测器相应设置。

本发明中的蚀刻装置主要在对于破片的检测方面做出了具体的改进，本发明中的蚀刻装置可以很好的检测到蚀刻装置中的玻璃基板是否发生破片，如果发生破片可以及时进行补救，防止因为检测不及时导致的损失扩大。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1是现有技术中的一种蚀刻装置俯视示意图；