[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710356808.7 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN107452750B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 杨圣永;宋镇一;崔溶敏 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
设置在第一基板上的遮光层;
设置在所述遮光层上的缓冲层;
设置在所述缓冲层上的半导体层;
设置在所述半导体层上的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上的栅极金属层;
设置在所述栅极金属层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层具有接触孔并暴露所述栅极金属层的一部分;和
设置在所述第二绝缘层上的源极漏极金属层,所述源极漏极金属层通过所述接触孔与所述栅极金属层接触,
其中所述半导体层包括辅助接触孔,所述辅助接触孔位于与所述接触孔对应的区域中,以及
其中,在所述辅助接触孔的区域中,所述源极漏极金属层与所述半导体层不接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述辅助接触孔的尺寸等于或大于所述接触孔的尺寸。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述接触孔和所述辅助接触孔设置在子像素中限定的电路区域的中部、上部和下部的至少之一上。
4.一种显示装置,包括:
设置在第一基板上的遮光层;
设置在所述遮光层上的缓冲层;
设置在所述缓冲层上的半导体层;
设置在所述半导体层上的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上的栅极金属层;
设置在所述栅极金属层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层具有接触孔并暴露所述半导体层的一部分;和
设置在所述第二绝缘层上的源极漏极金属层,所述源极漏极金属层通过所述接触孔与所述半导体层接触,
其中所述遮光层包括辅助接触孔,所述辅助接触孔位于与所述接触孔对应的区域中,以及
其中,在所述辅助接触孔的区域中,所述源极漏极金属层与所述遮光层不接触。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述辅助接触孔的尺寸等于或大于所述接触孔的尺寸。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述接触孔和所述辅助接触孔设置在子像素中限定的电路区域的中部、上部和下部的至少之一上。
7.一种显示装置,包括:
多个子像素,每个子像素都设置在第一基板上并且具有发光区域和电路区域,
其中所述子像素包括:
接触孔,所述接触孔形成在所述电路区域中并且暴露下部层的一部分,以助于所述下部层与设置在所述下部层上的上部层之间的电连接或电接触;和
辅助接触孔,所述辅助接触孔设置在所述接触孔下方并且位于与所述接触孔对应的区域中,
其中,所述辅助接触孔的尺寸等于或大于所述接触孔的尺寸,以及
其中,所述辅助接触孔设置在比所述接触孔低两层的导电层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述导电层包括设置在所述第一基板上的遮光层或设置在遮光层上的半导体层。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述接触孔和所述辅助接触孔设置在所述导电层的外部区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的