[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710356808.7 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN107452750B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 杨圣永;宋镇一;崔溶敏 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置。所述显示装置包括:设置在第一基板上的遮光层;设置在所述遮光层上的缓冲层;设置在所述缓冲层上的半导体层;设置在所述半导体层上的第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上的栅极金属层;设置在所述栅极金属层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层具有接触孔并暴露所述栅极金属层的一部分;和设置在所述第二绝缘层上的源极漏极金属层,所述源极漏极金属层通过所述接触孔与所述栅极金属层接触,其中所述半导体层包括辅助接触孔,所述辅助接触孔位于与所述接触孔对应的区域中。
本申请要求于2016年5月31日提交的韩国专利申请No.10-2016-0067780的权益,为了所有目的在此援引该专利申请作为参考,如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息技术的发展,对于显示图像的显示装置的需求逐渐增加。显示装置已显著变为:取代大的阴极射线管(CRT),目前广泛采用具有大屏幕的轻薄显示装置。
这些显示装置包括液晶显示装置(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示装置(OLED)和电泳显示装置(ED)。
LCD、OLED和ED的每一个包括薄膜晶体管(TFT)基板,TFT基板具有以矩阵形式布置子像素的区域。形成在TFT基板中的TFT是通过沉积多个金属层和多个绝缘层的工艺形成的。TFT基板实现为显示面板。
显示装置包括显示面板和配置成驱动显示面板的驱动单元。驱动单元包括:配置成给显示面板提供扫描信号(或栅极信号)的扫描驱动器、以及配置成给显示面板提供数据信号的数据驱动器。当扫描信号和数据信号提供至子像素时,显示装置通过选择的子像素发光,由此能够显示图像。
近来,显示面板由大屏幕和高分辨率实现。因此,甚至形成在显示面板的薄膜晶体管基板上的金属层和绝缘层的数量逐渐增加。此外,这增加了薄膜晶体管基板的布局的复杂性以及在位于不同层上的金属层之间发生不期望的短路缺陷的可能性,短路缺陷是由于异物对层的过蚀刻和撕裂(tearing)而导致的。因而,需要解决这些问题。
发明内容
在一个大体方面中,提供了一种显示装置,包括:设置在第一基板上的遮光层;设置在所述遮光层上的缓冲层;设置在所述缓冲层上的半导体层;设置在所述半导体层上的第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上的栅极金属层;设置在所述栅极金属层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层具有接触孔并暴露所述栅极金属层的一部分;和设置在所述第二绝缘层上的源极漏极金属层,所述源极漏极金属层通过所述接触孔与所述栅极金属层接触,其中所述半导体层包括辅助接触孔,所述辅助接触孔位于与所述接触孔对应的区域中。
在另一个大体方面中,提供了一种显示装置,包括:设置在第一基板上的遮光层;设置在所述遮光层上的缓冲层;设置在所述缓冲层上的半导体层;设置在所述半导体层上的第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上的栅极金属层;设置在所述栅极金属层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层具有接触孔并暴露所述半导体层的一部分;和设置在所述第二绝缘层上的源极漏极金属层,所述源极漏极金属层通过所述接触孔与所述半导体层接触,其中所述遮光层包括辅助接触孔,所述辅助接触孔位于与所述接触孔对应的区域中。
在又一个大体方面中,提供了一种显示装置,包括:多个子像素,每个子像素都设置在第一基板上并且具有发光区域和电路区域,其中所述子像素包括:接触孔,所述接触孔形成在所述电路区域中并且暴露下部层的一部分,以助于在信号线与电源线之间的电连接;和辅助接触孔,所述辅助接触孔设置在所述接触孔下方并且位于与所述接触孔对应的区域中。
附图说明
被包括来给本发明提供进一步理解并结合在本申请中组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是图解根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的示意性框图。
图2是子像素的示意性电路图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的