[发明专利]半导体装置封装及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710356824.6 申请日: 2017-05-19
公开(公告)号: CN107887365B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 洪文祺 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 萧辅宽
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置封装,其包括:

衬底;

多个电子组件,其安置在所述衬底的表面上方;

包封物,其包封所述电子组件;和

导电间隔结构,其将所述多个电子组件中的至少一个第一电子组件与所述多个电子组件中的至少一个第二电子组件隔开,其中所述导电间隔结构包含第一部分和第二部分,所述第二部分包含连接到所述第一部分的第一端和从所述包封物的侧表面曝露的第二端,且所述第二部分的宽度小于所述第一部分的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述导电间隔结构的所述第二部分包含第一部件、第二部件和第三部件,所述第一部件接近所述包封物的上表面,所述第三部件接近所述衬底的所述表面,所述第二部件在所述第一部件与所述第三部件之间,且所述第二部件的宽度大于所述第一部件的宽度和所述第三部件的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一部分的所述宽度对所述第二部分的所述宽度的比率范围介于1.2到28。

4.根据权利要求3所述的半导体装置封装,其中所述第二部分的所述宽度范围介于25微米到150微米,且所述第一部分的所述宽度范围介于180微米到700微米。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述包封物的所述侧表面大体上与所述导电间隔结构的所述第二部分的所述第二端共面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括安置在所述衬底的所述表面处的导电元件,其中所述多个电子组件中的第三电子组件安置在所述衬底的所述表面上方且电连接到所述导电元件中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一部分包括上部和位于所述上部与所述衬底的所述表面之间的下部,所述上部的一部分从所述包封物的上表面曝露,且所述第一部分的所述上部的宽度大于所述下部的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括安置在所述衬底的所述表面处的接地垫,其中所述导电间隔结构电连接到所述接地垫。

9.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括安置在所述包封物上且接触所述导电间隔结构的导电屏蔽件。

10.一种半导体装置封装,其包括:

衬底;

多个电子组件,其安置在所述衬底的表面上方;

包封物,其覆盖所述多个电子组件的至少一子集;和

导电间隔结构,其将所述电子组件的由所述包封物覆盖的所述子集的第一电子组件与所述多个电子组件中的第二电子组件隔开,其中所述导电间隔结构包含第一部分和第二部分,所述第二部分包括连接到所述第一部分的第一端和从所述包封物的侧表面曝露的第二端,所述第二部分的宽度小于所述第一部分的宽度,且所述第一部分和所述第二部分由相同导电材料形成,其中所述导电间隔结构的所述第二部分包含在深度方向上布置的第一部件、第二部件和第三部件,所述第一部件接近所述包封物的上表面,所述第三部件接近所述衬底的所述表面,所述第二部件在所述第一部件与所述第三部件之间,且所述第二部件的宽度大于所述第一部件的宽度和所述第三部件的宽度。

11.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述包封物的所述侧表面大体上与所述导电间隔结构的所述第二部分的所述第二端共面。

12.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其进一步包括安置在所述衬底的所述表面上的导电元件,其中所述多个电子组件中的第三电子组件电连接到所述导电元件中的至少一者。

13.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述第一部分包括上部和位于所述上部与所述衬底的所述表面之间的下部,所述上部的一部分从所述包封物的上表面曝露,且所述第一部分的所述上部的宽度大于所述下部的宽度。

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