[发明专利]半导体装置封装及其制造方法

说明书

一种半导体装置封装包含衬底、安置在所述衬底的表面上方的电子组件、包封所述电子组件的包封物和导电间隔结构。所述导电间隔结构将至少一个第一电子组件与至少一个第二电子组件隔开。所述导电间隔结构包含第一部分和第二部分，所述第二部分包含连接到所述第一部分的第一端和从所述包封物的侧表面曝露的第二端，且所述第二部分的宽度小于所述第一部分的宽度。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置封装及其制造方法，且更确切地说，涉及一种包含在端部分具有较小宽度的导电间隔结构的半导体装置封装。

背景技术

半导体装置封装可包含以相对高频率工作的电子组件，例如射频集成电路(RFIC)，其可产生电磁干扰(EMI)或可易遭受EMI。一些半导体装置封装合并有减小EMI影响的结构。

发明内容

在一或多个实施例中，一种半导体装置封装包含衬底、安置在所述衬底的表面上方的电子组件、包封所述电子组件的包封物和导电间隔结构。所述导电间隔结构将至少一个第一电子组件与至少一个第二电子组件隔开。所述导电间隔结构包含第一部分和第二部分，所述第二部分包含连接到所述第一部分的第一端和从所述包封物的侧表面曝露的第二端，且所述第二部分的宽度小于所述第一部分的宽度。

在一或多个实施例中，一种半导体装置封装包含衬底、安置在所述衬底的表面上方的电子组件、覆盖所述电子组件的至少一部分的包封物和导电间隔结构。所述导电间隔结构将所述电子组件的由所述包封物覆盖的所述部分的第一电子组件与第二电子组件隔开。所述导电间隔结构包含第一部分和第二部分，所述第二部分包含连接到所述第一部分的第一端和从所述包封物的侧表面曝露的第二端，且所述第一部分和所述第二部分由相同导电材料形成。

在一或多个实施例中，一种用于制造半导体装置封装的方法包含：提供衬底，所述衬底包含安置在其表面上方的电子组件；包封所述电子组件和所述衬底的所述表面的一部分以形成包封物；以及移除所述包封物的一部分以在所述包封物中形成沟槽和狭缝，其中所述狭缝的第一端与所述沟槽连通，所述狭缝的第二端从所述包封物的侧表面曝露，且所述狭缝的宽度小于所述沟槽的宽度。所述方法进一步包含在所述沟槽中安置导电材料且允许所述导电材料进入所述狭缝；以及固化所述导电材料。

附图说明

当结合附图阅读以下详细描述时，会从中最好地理解本发明的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可能为了论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1说明根据本发明的实施例的半导体装置封装的实例；

图1A是图1的半导体装置封装的横截面视图；

图1B是图1的半导体装置封装的横截面视图；

图2说明根据本发明的实施例的半导体装置封装的实例；

图3说明根据本发明的实施例的半导体装置封装的实例；

图4说明根据本发明的实施例的半导体装置封装的实例；

图5说明根据本发明的实施例的半导体装置封装的实例；

图6A说明根据本发明的实施例的半导体装置封装的实例；

图6B是图6A的半导体装置封装的横截面视图；

图7说明根据本发明的实施例的半导体装置封装的实例；

图8说明根据本发明的实施例的半导体装置封装的实例；

图9说明根据本发明的实施例的半导体装置封装的实例；

图10A、图10B、图10C、图10D、图10E、图10F和图10G说明根据本发明的实施例的制造半导体装置封装的方法；以及

图11A、图11B、图11C和图11D说明根据本发明的实施例的用于安置导电材料的方法。