[发明专利]排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法有效
申请号: | 201710357807.4 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN108962779B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 刘冠亨;李幸男;巫昆晋;郑杰夫 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气装置 半导体 制造 系统 方法 | ||
1.一种排气装置,包括:
一第一流水线,包括:
一第一主体部,沿着一第一方向延伸;
至少一第一连接部,连接该第一主体部,且该至少一第一连接部包括一进气口;以及
一第一阀装置,连接该第一主体部,该第一阀装置包括:
一第一气孔;
一第一滑盖;以及
一第一固定装置,被配置以将该第一滑盖固定于至少一第一位置;
其中,该至少一第一位置决定该第一气孔的开口大小,且该第一气孔的开口大小与该第一流水线的排气量的关系为负相关;以及
一总流水线,包括一排气口以及沿该第一方向延伸的一第一部分,其中,该第一部分连接该第一流水线。
2.如权利要求1所述的排气装置,其中,该第一流水线具有一第一连接部以及一第二连接部,且该第一连接部的进气口大小与该第二连接部的进气口大小相同。
3.如权利要求1所述的排气装置,其中,在该第一方向上,该第一主体部的一第一截面积的整体与该第一部分的一第二截面积重叠;
其中,该第一截面积的法向量与该第一方向平行,且该第二截面积的法向量与该第一方向平行。
4.如权利要求1所述的排气装置,还包括:
一第二流水线,连接该第一部分,该第二流水线包括:
一第二主体部,沿着该第一方向延伸;
至少一第二连接部,连接该第二主体部,且该至少一第二连接部包括一第二进气口;以及
一第二阀装置,连接该第二主体部,该第二阀装置包括:
一第二气孔;
一第二滑盖;以及
一第二固定装置,被配置以将该第二滑盖固定于至少一第二位置;
其中,该至少一第二位置决定该第二气孔的开口大小,且该第二气孔的开口大小与该第二流水线的排气量的关系为负相关;以及
一第三阀装置,连接该总流水线,该第三阀装置包括:
一第三气孔;
一第三滑盖;以及
一第三固定装置,被配置以将该第三滑盖固定于至少一第三位置;
其中,该至少一第三位置决定该第三气孔的开口大小,且该第三气孔的开口大小与该第一流水线的排气量以及该第二流水线的排气量的关系皆为负相关。
5.一种半导体制造系统,包括:
一第一腔室,被配置以对一晶圆进行一半导体制程;
一第一气体通道,至少连接该第一腔室的排气口;
一第一流水线,包括:
一第一主体部,沿着一第一方向延伸;
一第一连接部,连接该第一主体部,且连接该第一气体通道;以及
一第一阀装置,连接该第一主体部,该第一阀装置包括:
一第一气孔;
一第一滑盖;以及
一第一固定装置,被配置以将该第一滑盖固定于至少一第一位置;
其中,该至少一第一位置决定该第一气孔的开口大小,且该第一气孔的开口大小与该第一流水线的排气量的关系为负相关;
一总流水线,包括沿该第一方向延伸的一第一部分,该第一部分连接该第一流水线;以及
一抽气泵,耦接该总流水线的一排气口。
6.如权利要求5所述的半导体制造系统,还包括一第二腔室;
一第二气体通道,至少连接该第二腔室的排气口;
其中,该第一流水线还包括连接该第一主体部的一第二连接部,且该第二连接部连接该第二气体通道;
其中,该第一连接部的进气口大小与该第二连接部的进气口大小相同;
其中,在该第一方向上,该第一主体部的一第一截面积的整体与该第一部分的一第二截面积重叠;
其中,该第一截面积的法向量与该第一方向平行,且该第二截面积的法向量与该第一方向平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造