[发明专利]排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法

说明书

本申请提供一种排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法。其中排气装置，包括第一流水线与总流水线。第一流水线包括：第一主体部、第一连接部、第一阀装置。第一主体部是沿着第一方向延伸。第一连接部连接第一主体部，且第一连接部包括进气口。第一阀装置连接第一主体部，且第一阀装置包括：第一气孔、第一滑盖、第一固定装置。第一滑盖的位置决定第一气孔的开口大小，且第一气孔的开口大小与第一流水线的排气量的关系为负相关。总流水线包括排气口以及沿第一方向延伸的第一部分，其中，第一部分连接第一流水线。

技术领域

本公开实施例涉及一种排气系统，特别涉及排气装置、具有排气装置的半导体制造系统与应用排气装置的半导体制造方法。

背景技术

排气装置是通过阀装置来控制排气量。一般而言，传统阀装置(例如蝴蝶阀)是通过阀门来阻挡排气流水线的气体流通截面积，进而控制上述排气流水线的排气量。然而，随着操作时间的累积，上述传统阀装置的阀门将会累积气体中的粉尘或沉积物，进而对上述排气流水线造成额外的阻塞，导致额外的排气量下降。

因此，需要可减少气体中的粉尘或沉积物的累积现象的一种排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法。

发明内容

本公开一些实施例提供一种排气装置，排气装置包括第一流水线与总流水线。第一流水线包括：第一主体部、至少一第一连接部、第一阀装置。第一主体部是沿着第一方向延伸。至少一第一连接部连接第一主体部，且至少一第一连接部包括一进气口。第一阀装置连接第一主体部，且第一阀装置包括：第一气孔、第一滑盖、第一固定装置。第一固定装置被配置以将第一滑盖固定于至少一第一位置。其中，至少一第一位置决定第一气孔的开口大小，且第一气孔的开口大小与第一流水线的排气量的关系为负相关。总流水线包括排气口以及沿第一方向延伸的一第一部分，其中，第一部分连接第一流水线。

本公开一些实施例提供一种半导体制造系统，半导体制造系统包括：第一腔室、第一气体通道、第一流水线、总流水线、抽气泵。第一腔室被配置以对一晶圆进行一半导体制程。第一气体通道至少连接第一腔室的排气口。第一流水线包括：第一主体部、第一连接部、第一阀装置。第一主体部沿着第一方向延伸。第一连接部连接第一主体部，且连接第一气体通道。第一阀装置连接第一主体部，且第一阀装置包括：第一气孔、第一滑盖、第一固定装置。第一固定装置被配置以将第一滑盖固定于至少一第一位置。其中，至少一第一位置决定第一气孔的开口大小，且第一气孔的开口大小与第一流水线的排气量的关系为负相关。总流水线包括沿第一方向延伸的一第一部分，且第一部分连接第一流水线。抽气泵耦接总流水线的一排气口。

本公开一些实施例提供一种半导体制造方法，半导体制造方法包括：通过一腔室对一晶圆进行一半导体制程；于半导体制程中，通过一抽气泵，将腔室内的气体经由一第一流水线的至少一连接部的进气口导入第一流水线的一主体部，并将第一流水线内的气体排入一总流水线的一第一部分；于半导体制程中，调整第一流水线的一第一阀装置的一滑盖的位置以控制第一阀装置的一气孔的开口大小，进而调整第一流水线的排气量。其中，气孔的开口大小与第一流水线的排气量的关系为负相关。

附图说明

图1A是依据本公开实施例的排气装置的示意图；

图1B是依据本公开实施例的阀装置的示意图；

图1C是依据本公开实施例的阀装置的示意图；

图2是依据本公开实施例的排气系统的示意图；

图3是依据本公开实施例的沿着一方向俯视的流水线与总流水线的截面积的关系示意图；

图4A是依据本公开实施例的排气装置的示意图；

图4B是依据本公开实施例的进气口的示意图；

图5A是依据本公开实施例的阀装置的示意图；

图5B是依据本公开实施例的阀装置的示意图；