[发明专利]包括倒装地安装的IC和垂直集成的电感器的半导体封装体

权利要求书

1.一种半导体封装体，包括：

第一图案化导电载体；

倒装地安装在第一图案化导电载体上的集成电路(IC)，使得所述集成电路的节点直接电耦接到所述第一图案化导电载体的节点区段；

布置在所述集成电路之上的第二图案化导电载体，使得所述第二图案化导电载体的腿状部电耦接到所述第一图案化导电载体的所述节点区段；

布置在所述第二图案化导电载体之上的磁性材料；

布置在所述磁性材料之上的第三图案化导电载体；以及

与所述集成电路、所述第一图案化导电载体、所述第二图案化导电载体、所述磁性材料和所述第三图案化导电载体中的每一个接触的包封材料；

所述第二图案化导电载体与所述第三图案化导电载体在所述磁性材料之外在端部处机械地耦接，以便形成围绕所述半导体封装体中的集成的电感器的所述磁性材料的周边边缘延伸的绕组。

2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，所述磁性材料包括磁芯。

3.根据权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，所述磁性材料包括所述包封材料的包含有磁性颗粒的一部分。

4.根据权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，所述集成电路包括功率转换器切换级，所述集成的电感器实施为所述功率转换器切换级的输出电感器。

5.根据权利要求4所述的半导体封装体，其特征在于，所述集成电路的所述节点是功率转换器切换级的切换节点，所述节点区段是所述第一图案化导电载体的切换节点区段。

6.根据权利要求5所述的半导体封装体，其特征在于，所述第二图案化导电载体和所述第三图案化导电载体耦接在所述切换节点区段与所述第一图案化导电载体的功率转换器输出区段之间。

7.根据权利要求5所述的半导体封装体，其特征在于，所述功率转换器切换级包括在所述切换节点处耦接至同步晶体管的控制晶体管，所述控制晶体管和同步晶体管包括硅晶体管。

8.根据权利要求5所述的半导体封装体，其特征在于，所述功率转换器切换级包括在所述切换节点处耦接至同步晶体管的控制晶体管，所述控制晶体管和同步晶体管包括III-V族晶体管。

9.根据权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，所述第三图案化导电载体包括引线框架的一部分。

10.根据权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，所述第二图案化导电载体和所述第三图案化导电载体包括引线框架的一部分。

11.根据权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，所述第三图案化导电载体包括端部区段，所述端部区段沿着所述磁性材料的长度但在所述磁性材料之外延伸至所述第二图案化导电载体，使得所述第二图案化导电载体与所述第三图案化导电载体在所述磁性材料之外在端部处机械地耦接，以便形成围绕所述半导体封装体中的集成的电感器的所述磁性材料的周边边缘延伸的绕组。

12.根据权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，所述集成电路布置在所述第一图案化导电载体与第二图案化导电载体之间。