[发明专利]包括倒装地安装的IC和垂直集成的电感器的半导体封装体

说明书

在一实施方式中，半导体封装体包括：倒装地安装在第一图案化导电载体上的集成电路(IC)、布置在IC之上的第二图案化导电载体和布置在第二图案化导电载体之上的磁性材料。所述半导体封装体还包括布置在磁性材料之上的第三图案化导电载体。第二图案化导电载体与第三图案化导电载体电耦接，以便形成半导体封装体中的集成的电感器的绕组。

技术领域

总体上如附图中的至少一个所示和/或结合附图中的至少一个所描述那样，本公开针对一种包括倒装地安装的集成电路(IC)和垂直集成的电感器的半导体封装体。

背景技术

集成电路(IC)广泛地用于现代电子应用。例如，用于调压器的功率转换器切换级可被制造和封装为IC。这种功率转换器切换级IC通常包括高压侧控制晶体管、低压侧同步晶体管和设计成能够激励控制晶体管和同步晶体管的激励电路。

在许多常规实施方式中，包括功率转换器切换级IC的半导体封装体与功率转换器的输出电感器组合使用，所述输出电感器通常是相当大的分立器件。因此，在印刷电路板(PCB)上实施功率转换器的常规方法需要PCB面积足以容纳不仅包括包含功率转换器切换级IC的半导体封装体还包括用于功率转换器的输出电感器的并排布局。

发明内容

本公开涉及一种包括倒装地安装的集成电路(IC)和垂直地集成的电感器的半导体封装体。

根据本发明的一个方面，一种半导体封装体包括：倒装地安装在第一图案化导电载体上的集成电路(IC)；布置在所述集成电路之上的第二图案化导电载体；布置在所述第二图案化导电载体之上的磁性材料；布置在所述磁性材料之上的第三图案化导电载体；所述第二图案化导电载体与所述第三图案化导电载体在所述磁性材料之外在端部处机械地耦接，以便形成围绕所述半导体封装体中的集成的电感器的所述磁性材料的周边边缘延伸的绕组。

根据一个可选的实施例，所述磁性材料包括磁芯。

根据一个可选的实施例，所述磁性材料包括包含有磁性颗粒的模塑化合物。

根据一个可选的实施例，所述IC包括功率转换器切换级，所述集成的电感器实施为所述功率转换器切换级的输出电感器。

根据一个可选的实施例，所述功率转换器切换级的切换节点耦接至所述第一图案化导电载体的切换节点区段。

根据一个可选的实施例，所述第二图案化导电载体和所述第三图案化导电载体耦接在所述切换节点区段与所述第一图案化导电载体的功率转换器输出区段之间。

根据一个可选的实施例，所述功率转换器切换级包括在所述切换节点处耦接至同步晶体管的控制晶体管，所述控制晶体管和同步晶体管包括硅晶体管。

根据一个可选的实施例，所述功率转换器切换级包括在所述切换节点处耦接至同步晶体管的控制晶体管，所述控制晶体管和同步晶体管包括III-V族晶体管。

根据一个可选的实施例，所述第三图案化导电载体包括引线框架的一部分。

根据一个可选的实施例，所述第二图案化导电载体和所述第三图案化导电载体包括引线框架的一部分。

根据一个可选的实施例，所述半导体封装体还包括布置在所述集成电路与所述第二图案化导电载体之间并与所述集成电路和所述第二图案化导电载体相接触的介电材料。

根据一个可选的实施例，所述第三图案化导电载体包括端部区段，所述端部区段沿着所述磁性材料的长度但在所述磁性材料之外延伸至所述第二图案化导电载体，使得所述第二图案化导电载体与所述第三图案化导电载体在所述磁性材料之外在端部处机械地耦接，以便形成围绕所述半导体封装体中的集成的电感器的所述磁性材料的周边边缘延伸的绕组。

附图说明