[发明专利]形成布局图案的方法有效
申请号: | 201710363149.X | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN108957943B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 王嫈乔;童宇诚;冯立伟;何建廷 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 布局 图案 方法 | ||
1.一种形成布局图案的方法,包含:
提供一阵列图案,包含多个特征图形,等距地沿着一第一方向排列成多列,其中第n-1列、第n列以及第n+1列该特征图形在一第二方向上交错;
在各列该特征图形之间插入一辅助图形;
取得第n列和第n-1列该特征图形的一最短距离d1和第n+1列和第n-1列该特征图形的一最短距离d2;
根据该最短距离d1和该最短距离d2的差异,调整插入在第n列的该辅助图形,其中插入在第n列的该辅助图形位于该最短距离d2上;以及
将包含该辅助图形的该阵列图案输出至一光掩模,
其中根据d1与d2的差异调整该辅助图形,包含调整该辅助图形的形状、尺寸或位置至少其中一者。
2.如权利要求1所述的方法,其中该第一方向与该第二方向的夹角介于70度至75度之间。
3.如权利要求1所述的方法,其中第n-1列、第n列以及第n+1列该特征图形,在该第二方向上不重叠。
4.如权利要求1所述的方法,其中该特征图形为平行四边形,一相对边与该第一方向平行,另一相对边与该第二方向平行。
5.如权利要求1所述的方法,其中该辅助图形与该特征图形不接触,并且与该最短距离d2两端的该特征图形等距。
6.如权利要求1所述的方法,其中该辅助图形与该最短距离d2两端的该特征图形接触。
7.如权利要求1所述的方法,其中该辅助图形由多个子辅助图形构成。
8.一种形成DRAM布局图案的方法,包含:
提供一阵列图案,包含多个主动区域,等距地沿着一第一方向延伸排列成多列,其中第n-1列、第n列以及第n+1列该主动区域在一第二方向上交错;
定义一接触插塞图形,位于各列各该主动区域的中间;
在各列该接触插塞图形之间插入一辅助图形;
取得第n列和第n-1列该接触插塞图形的一最短距离d1和第n+1列和第n-1列该接触插塞图形的一最短距离d2;
根据该最短距离d1和该最短距离d2的差异调整插入在第n列的该辅助图形,其中插入在第n列的该辅助图形位于该最短距离d2上;以及
将该接触插塞图形以及该辅助图形输出至一光掩模上,
其中根据d1与d2的差异调整该辅助图形,包含调整该辅助图形的形状、尺寸或位置至少其中一者。
9.如权利要求8所述的方法,其中该第一方向与该第二方向的夹角介于70度至75度之间。
10.如权利要求8所述的方法,其中第n-1列、第n列以及第n+1列的该接触插塞图形,在该第二方向上不重叠。
11.如权利要求8所述的方法,其中该接触插塞图形为平行四边形,其中一相对边与该第一方向平行,另一相对边与该第二方向平行。
12.如权利要求8所述的方法,其中插入在第n列的该辅助图形位于第n列的两相邻该主动区域的相对端点之间。
13.如权利要求8所述的方法,其中另包含定义多条沿着该第二方向延伸的字符线,以及多条沿着一第三方向延伸的位线,其中该第二方向与该第三方向垂直。
14.如权利要求13所述的方法,其中该辅助图形与该字符线重叠,并且位于两相邻该位线之间。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
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