[发明专利]一种高功率厚膜晶片电阻及其制造方法

权利要求书

1.一种高功率厚膜晶片电阻，其特征在于：包括陶瓷基板（01），所述陶瓷基板（01）的上表面（02）刻有相互垂直设置的折条线（04）和折粒线（05），所述折条线（04）和折粒线（05）在上表面（02）上构成单元格，所述陶瓷基板（01）的下表面（03）上印刷有背面电极（06），单元格的两侧面且位于对应的折条线（04）内侧对称设置有印刷有正面电极（07）， 相邻的正面电极（07）之间印刷有电阻阻体（08），所述电阻阻体(08)的上表面设置有第一保护层（09），所述电阻阻体(08)及第一保护层（09）上设置有镭切线（10）,所述镭切线（10）的上表面设置有第二保护层(11)且覆盖在第一保护层(09)上，所述第二保护层(11)的上表面设置有第三保护层(12)，所述第三保护层(12)上表面的居中位置设置有字码层(13)，所述位于正面电极（07）两侧的陶瓷基板（01）的两侧面分别设置有侧面电极（14），用于将正面电极（07）与背面电极（06）导通。

2.根据权利要求1所述的一种高功率厚膜晶片电阻，其特征在于：所述陶瓷基板（01）采用氧化铝材质制成。

3.根据权利要求1所述的一种高功率厚膜晶片电阻，其特征在于：所述背面电极（06）、正面电极（07）和侧面电极（14）的表面均镀有镍层（15），所述镍层（15）的外表面镀有锡层（16）。

4.根据权利要求1所述的一种高功率厚膜晶片电阻，其特征在于：所述正面电极（07）采用银钯材料制成。

5.根据权利要求3所述的一种高功率厚膜晶片电阻，其特征在于：所述镍层（15）的厚度为4-15μm。

6.根据权利要求3所述的一种高功率厚膜晶片电阻，其特征在于：所述锡层（16）的厚度为5-15μm。

7.一种高功率厚膜晶片电阻的制造方法，其特征在于：包括以下步骤，

步骤（1），以氧化铝为材质制作陶瓷基板（01），在陶瓷基板（01）的上表面（02）刻有多条相垂直设置的折条线（04）和折粒线（05），折条线（04）和折粒线（05）将陶瓷基板（01）的上表面（02）划分为多个相同的单元格；

步骤（2），在陶瓷基板（01）的下表面(03)通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银浆料，并进行烧结，从而在陶瓷基板（01）的下表面(03)形成背面电极（06）；

步骤（3），在陶瓷基板（01）的上表面（02）的各单元格的两侧面且位于对应的折条线（04）内侧对称部位，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银钯浆料，并进行烧结，从而在陶瓷基板（01）的上表面（02）形成正面电极（07）；

步骤（4），通过丝网厚膜印刷方式在各单元格两侧的正面电极（07）之间印刷涂覆一层阻体浆料，并进行烧结，烧结温度为：850±5℃，从而形成电阻阻体（08）；

步骤（5），在电阻阻体（08）的上表面，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆一层玻璃浆料，并进行烧结，从而形成作为保护电阻阻体（08）的第一保护层（09）；

步骤（6），通过使用激光镭射切割的方式对电阻阻体（08）进行修正，形成客户所需的阻值及精度，在电阻阻体（08）及第一保护层（09）上形成镭切线（10）；

步骤（7），在第一保护层（09）上表面，通过丝网印刷方式印刷涂覆一层树脂浆料，并进行烧结，从而形成作为保护电阻阻体（08）的第二保护层（11）；

步骤（8），在第二保护层（11）的上表面，通过丝网印刷方式印刷涂覆一层树脂浆料，并进行烧结，从而形成作为保护电阻阻体（08）的第三保护层（12），所述第三保护层（12）与第二保护层（11）完全重叠；

步骤（9），在第三保护层（13）的上表面居中位置，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆一层字码浆料，并进行烧结，从而形成作为标识阻值大小的字码层（13）；

步骤（10），沿所述陶瓷基板（01）的每条折条线（04）将经过步骤（1）-步骤（9）处理后的陶瓷基板（01），依序折成条状的高功率厚膜晶片电阻条状半成品；

步骤（11），将高功率厚膜晶片电阻条状半成品，通过治具堆叠的方式堆叠在一起，对高功率厚膜晶片电阻半成的两侧面采用真镀镍铬合金材料方式，形成使正面电极（07）与背面电极（06）导通的侧面电极（14）；

步骤（12），沿所述高功率厚膜晶片电阻条状半成品的每条折粒线（05）将经过步骤（10）-步骤（11）处理后的高功率厚膜晶片电阻条状半成品，依序折成粒状的高功率厚膜晶片电阻粒状半成品；

步骤（13），将高功率厚膜晶片电阻粒状半成品的背面电极（06）、正面电极（07）和侧面电极（14）的表面通过滚镀方式电镀一层金属镍，从而形成镍层（15）；

步骤（14），再将高功率厚膜晶片电阻粒状半成品的镍层（15）的表面通过滚镀方式电镀一层金属锡，从而形成锡层（16），完成高功率厚膜晶片电阻的制造。