[发明专利]一种高功率厚膜晶片电阻及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710363196.4 申请日: 2017-05-22
公开(公告)号: CN107134330A 公开(公告)日: 2017-09-05
发明(设计)人: 黄正信;刘复强;陈庆良;魏效振 申请(专利权)人: 丽智电子(昆山)有限公司
主分类号: H01C1/032 分类号: H01C1/032;H01C1/142;H01C7/00;H01C17/02;H01C17/065;H01C17/28
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司32224 代理人: 董建林,闫方圆
地址: 215300 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 晶片 电阻 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子元器件技术领域,具体涉及一种高功率厚膜晶片电阻及其制造方法。

背景技术

随着科技的进步,时代的发展及人们对各类电子产品的要求不断提升,性能可靠及工艺稳定的厚膜晶片电阻也应电子产品的特殊需求呈现多样化的发展趋势,也给厚膜晶片电阻带来了新的发展机遇,特别是客户应用端对厚膜晶片电阻的功率指标有更高的要求。目前,现行业中普通的厚膜晶片电阻的功率较低,无法满足人们对高功率厚膜晶片电阻的需求,促使电阻器生产厂家生产研制出具有更高功率的厚膜晶片电阻,以便解决上述的问题。

发明内容

本发明的目的是克服现有的厚膜晶片电阻,功率较低,无法满足人们对高功率厚膜晶片电阻需求的问题。本发明的高功率厚膜晶片电阻及其制造方法,具有更高的功率特性,负荷寿命能力更强,具有体积小、重量轻、适合回流焊与波峰焊、电性能稳定、可靠性高、装配成本低、并与自动装贴设备匹配、机械强度高、符合环保要求等优点,具有良好的应用前景。

为了达到上述目的,本发明所采用

的技术方案是:

一种高功率厚膜晶片电阻,其特征在于:包括陶瓷基板,所述陶瓷基板的上表面刻有相互垂直设置的折条线和折粒线,所述折条线和折粒线在上表面上构成单元格,所述陶瓷基板的下表面上印刷有背面电极,单元格的两侧面且位于对应的折条线内侧对称设置有印刷有正面电极, 相邻的正面电极之间印刷有电阻阻体,所述电阻阻体的上表面设置有第一保护层,所述电阻阻体及第一保护层上设置有镭切线,所述镭切线的上表面设置有第二保护层且覆盖在第一保护层上,所述第二保护层的上表面设置有第三保护层,所述第三保护层上表面的居中位置设置有字码层,所述位于正面电极两侧的陶瓷基板的两侧面分别设置有侧面电极,用于将正面电极与背面电极导通。

前述的一种高功率厚膜晶片电阻,其特征在于:所述陶瓷基板采用氧化铝材质制成。

前述的一种高功率厚膜晶片电阻,其特征在于:所述背面电极、正面电极和侧面电极的表面均镀有镍层,所述镍层的外表面镀有锡层。

前述的一种高功率厚膜晶片电阻,其特征在于:所述正面电极采用银钯材料制成。

前述的一种高功率厚膜晶片电阻,其特征在于:所述镍层的厚度为4-15μm。

前述的一种高功率厚膜晶片电阻,其特征在于:所述锡层的厚度为5-15μm。

一种高功率厚膜晶片电阻的制造方法,其特征在于:包括以下步骤,

步骤(1),以氧化铝为材质制作陶瓷基板,在陶瓷基板的上表面刻有多条相垂直设置的折条线和折粒线,折条线和折粒线将陶瓷基板的上表面划分为多个相同的单元格;

步骤(2),在陶瓷基板的下表面通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银浆料,并进行烧结,从而在陶瓷基板的下表面形成背面电极;

步骤(3),在陶瓷基板的上表面的各单元格的两侧面且位于对应的折条线内侧对称部位,通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银钯浆料,并进行烧结,从而在陶瓷基板的上表面形成正面电极;

步骤(4),通过丝网厚膜印刷方式在各单元格两侧的正面电极之间印刷涂覆一层阻体浆料,并进行烧结,从而形成电阻阻体;

步骤(5),在电阻阻体的上表面,通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆一层玻璃浆料,并进行烧结,从而形成作为保护电阻阻体的第一保护层;

步骤(6),通过使用激光镭射切割的方式对电阻阻体进行修正,形成客户所需的阻值及精度,在电阻阻体及第一保护层上形成镭切线;

步骤(7),在第一保护层上表面,通过丝网印刷方式印刷涂覆一层树脂浆料,并进行烧结,从而形成作为保护的第二保护层;

步骤(8),在第二保护层的上表面,通过丝网印刷方式印刷涂覆一层树脂浆料,并进行烧结,从而形成作为保护的第三保护层,所述第三保护层与第二保护层完全重叠;

步骤(9),在第三保护层的上表面居中位置,通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆一层字码浆料,并进行烧结,从而形成作为标识阻值大小的字码层;

步骤(10),沿所述陶瓷基板的每条折条线将经过步骤(1)-步骤(9)处理后的陶瓷基板,依序折成条状的高功率厚膜晶片电阻条状半成品;

步骤(11),将高功率厚膜晶片电阻条状半成品,通过治具堆叠的方式堆叠在一起,对高功率厚膜晶片电阻半成的两侧面采用真镀镍铬合金材料方式,形成使正面电极与背面电极导通的侧面电极;

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