[发明专利]OLED微型显示器IC片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710365177.5 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107393863A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 茆胜 | 申请（专利权）人： | 茆胜 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)44314 | 代理人： | 王少虹,许国兴 |
| 地址： | 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 微型 显示器 ic 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED微型显示器IC片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内，形成注氧基片；
S2、在惰性气体保护下，对所述注氧基片进行退火，以在所述注氧基片内形成SiO2埋层，制得SOI基片；
S3、在所述SOI基片上制作IC电路，制得IC片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，氧离子的注入剂量为1×1015/cm2~1×1021/cm2，注入深度为100~20000Å。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硅片的厚度为500~1200μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述硅片为单面抛光硅片；所述氧离子从所述硅片的抛光面注入其中。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到所述硅片内；所述大束流氧离子注入机的注入能量为50~200KV，束流5~25mA，注入温度22~500℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述惰性气体为He、Ne、Ar或Kr。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，退火温度为800~2000℃；退火时间0.2~20小时。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S5中，在所述SOI基片的一个表面上制作IC电路。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S1之前，清洗硅片，去除所述硅片表面污渍和自然氧化层。
10.一种OLED微型显示器IC片，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的制备方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
