[发明专利]OLED微型显示器IC片及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及OLED微型显示器制造技术领域，尤其涉及一种OLED微型显示器IC片及其制备方法。

背景技术

SOI是Silicon-on-Insulator的缩写，指的是绝缘衬底上的硅，简称绝缘硅。随着芯片特征尺寸跨入纳米尺度后，临近半导体物理器件的极限问题接踵而来，如电容损耗、漏电流增大、噪声提升、闩锁效应和短沟道效应等。为了克服这些问题，SOI技术应运而生，业界提出先在硅晶圆上嵌埋一层SiO₂绝缘层，然后以此绝缘层作为基底，在表面硅层制作晶体管，这就是SOI技术。SiO₂埋层能有效地使电子从一个晶体管门电路流到另一个晶体管门电路，不让多余的电子渗漏到硅晶圆上。

OLED微型显示器属于一种硅基显示芯片。由于硅基器件优良的电学特性和极细微的器件尺寸，可以实现显示芯片的高度集成化。随着显示器分辨率的提高，IC片上器件尺寸大大缩小，一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢，功耗升高，集成密度难以提升。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，提供一种实现在SOI基片上制备IC片的OLED微型显示器IC片的制备方法及制得的IC片。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种OLED微型显示器IC片的制备方法，包括以下步骤：

S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内，形成注氧基片；

S2、在惰性气体保护下，对所述注氧基片进行退火，以在所述注氧基片内形成SiO₂埋层，制得SOI基片；

S3、在所述SOI基片上制作IC电路，制得IC片。

优选地，步骤S1中，氧离子的注入剂量为1×10¹⁵/cm²～1×10²¹/cm²，注入深度为

优选地，所述硅片的厚度为500～1200μm。

优选地，步骤S1中，所述硅片为单面抛光硅片；所述氧离子从所述硅片的抛光面注入其中。

优选地，步骤S1中，采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到所述硅片内；所述大束流氧离子注入机的注入能量为50～200KV，束流5～25mA，注入温度22～500℃。

优选地，步骤S2中，所述惰性气体为He、Ne、Ar或Kr。

优选地，步骤S2中，退火温度为800～2000℃；退火时间0.2～20小时。

优选地，步骤S5中，在所述SOI基片的一个表面上制作IC电路。

优选地，步骤S1之前，清洗硅片，去除所述硅片表面污渍和自然氧化层。

本发明还提供一种OLED微型显示器IC片，采用以上任一项所述的制备方法制得。

本发明的有益效果：实现在SOI基片上制备IC片，适用于OLED微型显示器，解决了IC片随着显示器分辨率的提高，IC片上器件尺寸大大缩小，一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢、功耗升高、集成密度难以提升等问题，利于提高显示器像素密度。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1是本发明的IC片的制备过程示意图。

具体实施方式

为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。

参考图1，本发明的OLED微型显示器IC片的制备方法，可包括以下步骤：

S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片10内，形成注氧基片。

在注氧之前，清洗硅片10，去除硅片10表面污渍和自然氧化层。

其中，氧离子的注入剂量为1×10¹⁵/cm²～1×10²¹/cm²；氧离子的注入深度为(埃米)，即注入的氧离子在硅片10中距离硅片表面根据氧离子的注入深度，硅片10的厚度可为500～1200μm。

优选地，硅片10采用单面抛光硅片；氧离子从硅片10的抛光面注入其中。

进一步地，该步骤S1中，优选采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到硅片10内。大束流氧离子注入机的注入能量为50～200KV，束流5～25mA，注入温度22～500℃。