[发明专利]在集成电路的互连部分中形成电中断的方法及集成电路

权利要求书

1.一种用于在至少一个通孔层级(V1)中形成至少一个电中断的方法，所述至少一个通孔层级位于集成电路的互连部分(PITX)的下金属化层级(M1)与上金属化层级(M2)之间，所述方法包括形成被绝缘包封层(C1)覆盖的所述下金属化层级(M1)，在所述包封层的顶部上形成金属化层级间绝缘层(C2)，在所述金属化层级间绝缘层(C2)内形成至少第一金属轨(P2)和至少第一通孔(V10)，所述至少第一金属轨位于所述上金属化层级处，所述至少第一通孔与所述至少第一轨(P2)电接触并且穿过所述包封层(C1)与所述下金属化层级的至少第二金属轨(P1)电接触，以及在形成每个第一通孔(V10)以及所述上金属化层级的每个第一金属轨(P2)之后，在所述包封层的层级处形成所述至少一个电中断(CS3)，所述至少一个电中断在所述通孔层级(Vn)的至少第二通孔(V11)与所述下金属化层级的至少第三轨(P1)之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成每个电中断包括：

在第二通孔的每个位置处局部蚀刻(GR1)所述金属化层级间绝缘层(C2)和所述包封层(C1)，其方式为以形成开通至相应第三轨的一部分(P10)上的孔口(OR2)，

用附加绝缘层(CS3)涂覆每个孔口(OR2)的内壁以及所述第三轨的所述部分(P10)，所述附加绝缘层具有与所述金属化层级间绝缘层的构成完全相同的构成，以及

用填充材料填充每个涂覆孔口(OR2)，所述填充材料具有与每个第一通孔和每个第一轨的构成完全相同的构成，其方式为以形成相应第二通孔(V11)和第四轨(P4)，所述第四轨位于所述上金属化层级处并与此第二通孔(V11)接触。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述局部蚀刻和所述涂覆被配置成以获得针对每个涂覆孔口(OR2)的下部(OR21)，所述下部的开口大小在对其进行填充后引向相应的第二通孔(V11)，所述相应的第二通孔的横向截面大小类似于每个第一通孔(V10)的横向截面大小。

4.一种集成电路，所述集成电路包括互连部分(PITX)，所述互连部分包括：至少一个通孔层级(V1)，所述至少一个通孔层级位于下金属化层级(M1)与上金属化层级(M2)之间，所述下金属化层级被绝缘包封层(C1)并且被金属化层级间绝缘层(C2)覆盖；以及至少一个电中断(CS3)，所述至少一个电中断位于所述通孔层级的至少一个通孔(V11)与所述下金属化层级的至少一个轨(P1)之间，所述至少一个电中断包括附加绝缘层(CS3)，所述附加绝缘层具有与所述金属化层级间绝缘层(C2)的构成完全相同的构成、位于所述至少一个通孔(V11)与所述至少一个轨(P1)之间并且被所述包封层(C1)定界。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，每个通孔(V11)的横向截面大小类似于每个不与电中断相关联的其他通孔(V10)的横向截面大小。

6.一种物体，包含根据权利要求4和5中任一项所述的集成电路(IC)。

7.根据权利要求6所述的物体，形成智能卡(CP)。