[发明专利]在集成电路的互连部分中形成电中断的方法及集成电路

说明书

本申请涉及在集成电路的互连部分中形成电中断的方法及集成电路。提供一种集成电路，该集成电路包括互连部分(PITX)，该互连部分包括：至少一个通孔层级(V1)，该至少一个通孔层级位于下金属化层级(M1)与上金属化层级(M2)之间，该下金属化层级被绝缘包封层(C1)并且被金属化层级间绝缘层(C2)覆盖；以及至少一个电中断(CS3)，该至少一个电中断位于该通孔层级的至少一个通孔(V11)与该下金属化层级的至少一个轨(P1)之间，该至少一个电中断包括附加绝缘层(CS3)，该附加绝缘层具有与该金属化层级间绝缘层(C2)的构成完全相同的构成、位于该至少一个通孔(V11)与该至少一个轨(P1)之间并且被该包封层(C1)定界。

技术领域

本发明的实施例及其实施方式涉及集成电路并且更具体地涉及保护其免受基于集成电路的各层的摄影顶视图实施的“逆向工程”。

背景技术

根据一个实施例及其实施方式，提供了集成电路，该集成电路的结构和制造方法使在逆向工程期间使用的自动图案识别变得复杂，或甚至几乎不可能，尤其是通过增加提取错误率以使得几乎不可能基于布局的底视图提取集成电路的描述(或“网表”)。

为此目的，至少一个电中断尤其设置在集成电路的互连部分(通常由本领域技术人员用缩写BEOL(“后段制程”)表示)中，并且更具体地，在将下金属化层级与上金属化层级分离开的通孔层级的至少一个通孔与来自该下金属化层级的至少一个金属轨之间。

互连部分(BEOL)位于集成电路的衬底的顶部。因此，将下金属化层级理解为意指与上金属化层级相比更靠近衬底的金属化层级。

发明内容

因此，根据一个方面，提供了一种用于在至少一个通孔层级中形成至少一个电中断的方法，该至少一个通孔层级位于集成电路的互连部分的下金属化层级与上金属化层级之间，该方法包括：

形成被绝缘包封层覆盖的该下金属化层级，

在该包封层的顶部上形成金属化层级间绝缘层(通常以缩写IMD(“金属间电介质”)为本领域技术人员所熟知)，

在该金属化层级间绝缘层中形成至少第一金属轨和至少第一通孔，该至少第一金属轨位于该上金属化层级处，该至少第一通孔与该至少第一金属轨电接触并且穿过该包封层与该下金属化层级的至少第二金属轨电接触，以及

在形成每个第一通孔以及该上金属化层级的每个第一金属轨之后，在该包封层的层级处形成该至少一个电中断，该至少一个电中断在该通孔层级的至少第二通孔与该下金属化层级的至少第三轨之间。

该下金属化层级的此第三轨可以不同于第二轨或者与该第二轨形成同一轨。

因此，通孔下方的下金属化层级的在包封层的层级处形成的这类电中断在摄影俯视图中几乎或甚至完全探测不到并且允许例如假定在与有此电中断的通孔相对的金属轨例如连接至晶体管的漏极区时此晶体管是电功能性的，然而由于此电中断的存在，该晶体管事实上是永久断开的(换言之，是功能上不活跃的)。

根据一个实施例，该形成每个电中断包括：

在第二通孔的每个位置处局部蚀刻该金属化层级间绝缘层和该包封层，其方式为以形成开通至相应第三轨的一部分上的孔口，

用附加绝缘层涂覆每个孔口的内壁以及该第三轨的该部分，该附加绝缘层具有与该金属化层级间绝缘层的构成完全相同的构成，以及

用填充材料填充每个涂覆孔口，该填充材料具有与每个第一通孔和每个第一轨的构成完全相同的构成，其方式为以形成相应第二通孔和第四轨，该第四轨位于该上金属化层级处并与此第二通孔接触。

涂覆孔口和相应第三轨的一部分的附加绝缘层具有与金属化层级间绝缘层(“IMD”层)的构成完全相同的构成这一事实将对使第二通孔相对于第一通孔的区分特别困难并且使逆向工程操作甚至更加复杂有所贡献。