[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

SOI基板，由半导体基板、所述半导体基板上的埋入绝缘膜以及所述埋入绝缘膜上的半导体层构成；

多层布线层，形成于所述SOI基板的主面的上方；以及

电感器，由所述多层布线层构成，

在位于所述电感器的下方的所述SOI基板的第1区域中，所述埋入绝缘膜以及所述半导体层通过元件分离部被隔成多个区域，

在所述多个区域各自的所述半导体层上，隔着虚设栅极绝缘膜设置有虚设栅极电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1区域的所述元件分离部的平面形状是格子状。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在通过格子状的所述元件分离部划分而成的各区域，配置有所述虚设栅极电极。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述虚设栅极电极是孤立的图案。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

将由与所述虚设栅极电极同一层的材料形成且固定于接地电位的第1外周部分设置于所述第1区域的周围，

所述虚设栅极电极与所述第1外周部分相连。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述虚设栅极电极从所述第1外周部分向所述第1区域的内侧延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

将由与所述虚设栅极电极同一层的材料形成且固定于接地电位的第1外周部分设置于所述第1区域的周围，

将由与所述半导体层同一层的材料形成且固定于接地电位的第2外周部分设置于所述第1外周部分之下的所述第1区域的周围，

所述虚设栅极电极与所述第1外周部分相连，

所述虚设栅极电极之下的所述半导体层与所述第2外周部分相连。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述虚设栅极电极从所述第1外周部分向所述第1区域的内侧延伸，

所述虚设栅极电极之下的所述半导体层从所述第2外周部分向所述第1区域的内侧延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1区域的所述半导体基板，未形成具有比所述半导体基板的杂质浓度高的杂质浓度的阱。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在不位于所述电感器的下方的所述SOI基板的第2区域中，具备在所述半导体层上隔着栅极绝缘膜而具有栅极电极的晶体管，

所述虚设栅极电极与所述栅极电极由同一层的材料构成。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电感器由最上层的布线构成。