[发明专利]一种雾化片用核微孔膜及其制备方法

权利要求书

1.一种雾化片用核微孔膜，其特征在于，包括微孔区和固定区；

所述的微孔区位于中间，其有锥形微孔；

所述的固定区位于微孔区的外围。

2.根据权利要求1所述的雾化片用核微孔膜，其特征在于，所述的锥形为单锥形或双锥形。

3.根据权利要求1所述的雾化片用核微孔膜，其特征在于，

所述微孔的孔径为d＝1～12μm，D＝3～60μm；

所述微孔的密度3×10³～2×10⁶/cm²；

所述微孔的厚度8～200μm。

4.一种雾化片，其特征在于，包括：压电换能器和雾化片用核微孔膜，

所述的压电换能器包括内部空心区和外部实体区，其外部实体区与雾化片用核微孔膜的固定区相连接，其内部空心区与雾化片用核微孔膜的微孔区相对应。

5.根据权利要求4所述的雾化片，其特征在于，

所述的压电换能器包括压电陶瓷片换能器、压电单晶体换能器。

6.根据权利要求5所述的雾化片，其特征在于，所述的压电陶瓷片换能器包括压电陶瓷片、金属层，

所述的金属层在压电陶瓷片上面，用于连接所需产生超声波电路的一端；压电陶瓷片下面与电路另一端相连；并黏贴雾化片用核微孔膜的固定区。

7.根据权利要求6所述的雾化片，其特征在于，所述的压电陶瓷片的形状为环形、方形、多边形。

8.根据权利要求6所述的雾化片，其特征在于，所述雾化片用核微孔膜的单锥孔的小孔面与压电陶瓷面连接或者小孔面与压电陶瓷面间有不锈钢片相连接。

9.一种雾化片用核微孔膜的制备方法，其特征在于，包括：

(1)用能量为10～50MeV/u的高能粒子照射厚度为10～270μm核微孔膜原料，形成径迹密度为3×10³～2×10⁶/cm²的潜径迹膜；

(2)在20～80℃下，将潜径迹膜浸泡在浸泡液中至特定条件；

(3)取出潜径迹膜，清洗，烘干，即制成雾化片用核微孔膜；

所述的高能粒子包括U粒子、Pb粒子、Kr粒子；

所述的核微孔膜原料包括聚碳酸酯薄膜、聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰亚胺薄膜、石英玻璃片。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的将潜径迹膜浸泡在浸泡液前，

在潜径迹膜的一面(A面)印刷0.5～1μm硝酸纤维层，

真空蒸镀0.01～0.1μm的铝层，

与带有胶黏剂的薄膜复合。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的浸泡液包括5mol/l的氢氧化钠溶液、8mol/l的氢氧化钾与质量浓度为1％高锰酸钾溶液、6mol/l的高锰酸钾溶液、体积浓度48％HF溶液。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的特定条件包括10～40分钟或者铝层完全消失。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的清洗前去除复合的薄膜。