[发明专利]电子装置的制造装置及制造方法有效
申请号: | 201710366163.5 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN107424943B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 白炅旼;杨受京;朴俊龙;申铉亿 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 | ||
1.一种电子装置的制造装置,包括:
平台,用于支撑基板;
靶旋转体,布置于所述基板上,并沿着一方向延伸,且向所述基板提供彼此不同的第一沉积物质及第二沉积物质;
腔室,收容所述平台及所述靶旋转体,其中,
所述靶旋转体包括:
第一靶部,位于沿着所述靶旋转体的所述一方向延伸的第一区域,并供应所述第一沉积物质;
第二靶部,在所述靶旋转体的旋转方向上与所述第一靶部连接,位于与所述靶旋转体的所述第一区域相邻的第二区域,并供应所述第二沉积物质,
其中,包括同时供应所述第一沉积物质和所述第二沉积物质的模式。
2.如权利要求1所述的电子装置的制造装置,其中,
所述第一沉积物质及所述第二沉积物质在随着所述靶旋转体以沿着所述一方向延伸的旋转轴为中心进行旋转而被定义的多个模式下被供应,并且所述多个模式包括:
第一模式,所述第一靶部面对所述基板,并且所述第一沉积物质被供应至所述基板;
第二模式,所述第二靶部面对所述基板,并且所述第二沉积物质被供应至所述基板。
3.如权利要求2所述的电子装置的制造装置,其中,
所述多个模式还包括:第三模式,所述第一靶部的一部分与所述第二靶部的一部分同时面对所述基板,
在所述第三模式下,所述第一靶部的一部分将所述第一沉积物质提供到所述基板上,并且所述第二靶部的一部分将所述第二沉积物质提供到所述基板上。
4.如权利要求2所述的电子装置的制造装置,其中,
在所述第一模式下的所述靶旋转体的旋转速度和在所述第二模式下的所述靶旋转体的旋转速度彼此不同,或者彼此相同。
5.如权利要求2所述的电子装置的制造装置,其中,
所述靶旋转体以具有外侧面及内侧面的圆筒形状提供。
6.如权利要求5所述的电子装置的制造装置,其中,
包括:收容于被所述靶旋转体的所述内侧面定义的内部空间的磁体,所述磁体被所述靶旋转体包围。
7.如权利要求6所述的电子装置的制造装置,其中,
所述磁体位于所述靶旋转体的所述内侧面中的与所述基板相邻的区域。
8.如权利要求7所述的电子装置的制造装置,其中,
所述磁体能够以所述旋转轴为中心而沿着所述靶旋转体的所述内侧面而旋转。
9.一种电子装置的制造方法,包括如下的步骤:
在平台上提供基板;
将沿着一方向延伸的靶旋转体布置在所述基板上,其中,所述靶旋转体包括用于供应第一沉积物质的第一靶部和用于供应第二沉积物质的第二靶部;以及
使所述靶旋转体以沿着所述一方向延伸的旋转轴为中心进行旋转,并沉积所述第一沉积物质及所述第二沉积物质;
沉积所述第一沉积物质及所述第二沉积物质的步骤包括如下的步骤:
在所述第一靶部与所述基板相向的期间内,将所述第一沉积物质供应到所述基板上而形成第一导电图案层;
在所述第一靶部的一部分与所述第二靶部的一部分与所述基板相向的期间内,所述靶旋转体旋转而将所述第一沉积物质和所述第二沉积物质供应到所述基板上,从而形成混合层;以及
在所述第二靶部与所述基板相向的期间内,将所述第二沉积物质供应到所述混合层上而形成第二导电图案层。
10.如权利要求9所述的电子装置的制造方法,其中,
所述第一靶部位于沿着所述靶旋转体的所述一方向延伸的第一区域,所述第二靶部与所述第一靶部连接,并位于与所述第一区域相邻的第二区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造