[发明专利]掩膜板及其制作方法

说明书

本申请公开了一种掩膜板及其制作方法，该方法包括：提供基板，基板的材料为绝缘材料；在基板上形成图案化的电极层，图案化的电极层上具有多个电极，所述电极层的材料为导电材料；采用电铸工艺，在所述图案化的电极层上形成电铸膜；采用机械剥离工艺，将所述电铸膜剥离所述基板和所述电极，得到掩膜板。本发明的掩膜板制作方法，基板选用绝缘材料，之后在基板上形成图案化的电极层，在电极层上电铸得到电铸膜，之后采用机械剥离工艺，剥离电铸膜，得到掩膜板。由于基板材料的调整，使得电铸膜与基板之间的附着力小于现有技术中的不锈钢等金属材料基板与电铸膜间的附着力，从而在一定程度上提高了掩膜板的良率，从根本上解决了现有技术中的问题。

技术领域

本申请涉及掩膜板技术领域，更具体地说，涉及一种掩膜板及其制作方法。

背景技术

掩膜板是半导体芯片、微机电产品、显示面板等制造过程中经常使用的工具之一，其可结合光刻、蒸镀、溅射等工艺，以形成半导体结构。一般情况下，掩膜板是在金属薄板的特定位置上制作出工艺所需的开口，之后再进行光刻、刻蚀、蒸镀、溅射等工艺，在半导体膜层上形成特定图案。

随着半导体技术的发展，工艺尺寸越来越小，掩膜板的精度也越来越高，其厚度也越来越薄。这种高精度掩膜板的常用制备方法有电铸法。电铸法制备掩膜板的过程包括：提供基板；在基板上涂覆贴膜；对贴膜进行曝光；去除部分贴膜，形成开口；在开口处采用电铸工艺，得到电铸层；将电铸层从基体上剥离，得到掩膜板。

现有技术中，通常采用机械剥离的方式，将电铸层从基体上剥离。但是，发明人发现，采用现有技术制得的掩膜板，时常会有损坏，即掩膜板的良率较低。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种掩膜板制作方法，解决了现有技术中的问题，提高了掩膜板的良率。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种掩膜板制作方法，包括：

提供基板，所述基板的材料为绝缘材料；

在所述基板上形成图案化的电极层，所述图案化的电极层上具有多个电极，所述电极层的材料为导电材料；

采用电铸工艺，在所述电极层上形成电铸膜；

采用机械剥离工艺，将所述电铸膜剥离所述基板和所述图案化的电极层，得到掩膜板。

优选的，所述电铸膜与所述基板之间的附着力小于5MPa。

优选的，所述电铸膜与所述基板之间的附着力小于0.1MPa。

优选的，所述电极与所述电铸膜之间的附着力小于或等于1MPa。

优选的，所述基板的材料为玻璃或塑料。

优选的，所述基板的表面粗糙度小于0.5μm。

优选的，所述掩膜板的表面粗糙度小于0.5μm。

优选的，所述电铸膜的侧向生长速度与其纵向生长速度相同。

优选的，所述掩膜板上开口的宽度为w，所述掩膜板的厚度为d，位于所述掩膜板上开口两侧的所述电极层上两个电极的间距为L，则L＝w+2d。

优选的，所述电铸工艺的电流密度为0.03A/㎡，电铸液的温度在35℃～40℃以内，电铸液的PH值为2.5～3.5；或者所述电铸工艺的电流密度为0.05A/㎡，电铸液的温度在45℃～50℃以内，电铸液的PH值为3.5～4.5。

优选的，所述电铸膜的厚度为10μm，大小为10cm×10cm，所述电铸工艺的电铸时间为5min～8min。

优选的，所述电极的宽度在3μm～5μm以内。