[发明专利]用于锁存防止的自适应体偏置电路有效
申请号: | 201710369847.0 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN107452761B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 查尔斯·清乐·吴;高润鹤 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 防止 自适应 偏置 电路 | ||
1.一种成像系统,其包括:
形成为列及行的像素阵列,每一行包含多个像素;
行地址解码器,其包含多个解码电路,所述多个解码电路中的每一者耦合到相应像素行,且所述多个解码电路的每一解码电路包含由相应体端子耦合在一起的至少两个晶体管,且其中所述多个解码电路中的每一者的所述两个晶体管的经耦合的体端子耦合到第一节点;及
控制电路,其耦合到所述行地址解码器,所述控制电路包含耦合到所述第一节点的体偏置电路,所述体偏置电路响应于所述成像系统的操作状态而自适应地向所述第一节点提供偏置电压,所述体偏置电路包含:
偏置电路,其耦合在所述第一节点与第一及第二参考电压源之间,所述偏置电路响应于控制信号而选择性地将所述第一参考电压源或所述第二参考电压源耦合到所述第一节点,其中所述偏置电路包含:
第一及第二晶体管,其串联耦合在所述第一节点与所述第一参考电压源之间;及
第三及第四晶体管,其串联耦合在所述第一节点与所述第二参考电压源之间;及
偏置控制电路,其耦合到所述偏置电路、所述第一及第二参考电压源,且进一步经耦合以接收指示所述操作状态的信号,
其中,响应于所述成像系统处于第一操作状态,所述偏置控制电路经耦合以提供控制信号,以启用所述第三及第四晶体管以将所述第二参考电压源耦合到所述第一节点,并且停用所述第一及第二晶体管,且
其中,响应于所述成像系统处于第二操作状态,所述偏置控制电路经耦合以提供控制信号,以启用所述第一及第二晶体管以将所述第一参考电压源耦合到所述第一节点,并且停用所述第三及第四晶体管。
2.根据权利要求1所述的成像系统,其中所述第一操作状态指示所述成像系统上电,且所述第二操作状态指示所述成像系统掉电。
3.根据权利要求1所述的成像系统,其中所述偏置控制电路包含:
比较器,其具有耦合到所述第一参考电压源的输出的非反相输入,耦合到所述第二参考电压源的输出的反相输入,及经耦合以接收指示所述操作状态的所述信号的启用输入,且所述比较器具有输出;
或非门,其具有耦合到所述比较器的所述输出的第一输入,及经耦合以接收指示所述操作状态的所述信号的第二输入,且所述或非门具有耦合到所述第二晶体管的栅极的输出;
第一反相器,其具有耦合到所述或非门的所述输出的输入,及耦合到所述第三晶体管的栅极的输出;
电平移位器,其具有耦合到所述或非门的所述输出的输入,所述电平移位器经耦合以将所述或非门的所述输出的电压电平移位到所述第二参考电压源的电压电平,且其中所述电平移位器具有耦合到所述第一晶体管的栅极的输出;及
第二反相器,其具有耦合到所述电平移位器的所述输出的输入,及耦合到所述第四晶体管的栅极的输出。
4.根据权利要求3所述的成像系统,其中所述比较器、所述或非门及所述第一反相器由所述第一参考电压源偏置,且其中所述电平移位器及所述第二反相器由所述第二参考电压源偏置。
5.根据权利要求3所述的成像系统,其中响应于所述成像系统处于所述第一操作状态,所述比较器确定所述第二参考电压源的电压电平是否大于所述第一参考电压源的电压电平,且所述偏置控制电路响应于所述确定将具有较大电压电平的所述第一参考电压源或所述第二参考电压源耦合到所述第一节点。
6.根据权利要求1所述的成像系统,其中所述第一参考电压源是低电压,且所述第二参考电压源是高电压。
7.根据权利要求1所述的成像系统,其中所述第一、第二、第三及第四晶体管是PMOS晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的