[发明专利]一种可集成的无定型硅波导结构及其制作方法

权利要求书

1.一种可集成的无定型硅波导结构，其特征在于，所述结构包括：

单晶半导体、第一二氧化硅层、无定型硅层和第二二氧化硅层；

所述第一二氧化硅层通过沉积形成于所述单晶半导体上，所述无定型硅层通过沉积形成于所述第一二氧化硅层上，所述第二二氧化硅层通过沉积形成于所述无定型硅层上；

若光场中心强度位于所述单晶半导体内，则所述无定型硅层厚度小于200nm；

若光场中心强度位于所述无定型硅层内，则所述无定型硅层厚度大于或等于200nm。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一二氧化硅层的厚度小于50纳米，所述无定型硅层的厚度大于50纳米，所述第二二氧化硅层的厚度大于100纳米。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，在所述无定型硅层与所述第二二氧化硅层之间，还包括：

氮化硅层，所述氮化硅层通过沉积形成于所述无定型硅层上，所述第二二氧化硅层通过沉积形成于所述氮化硅层上。

4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，所述氮化硅层的厚度小于10纳米。

5.一种如权利要求1～4任意一项所述可集成的无定型硅波导结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

制备单晶半导体；

在所述单晶半导体上通过沉积形成第一二氧化硅层；

在所述第一二氧化硅层上通过沉积形成无定型硅层；

在所述无定型硅层通过沉积形成第二二氧化硅层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一二氧化硅层沉积通过低速化学汽相沉积于所述单晶半导体上，沉积速度小于2纳米/秒。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述无定型硅层沉积通过高温化学汽相沉积于第一二氧化硅层上，沉积温度大于250摄氏度。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述无定型硅层形成之后，所述第二二氧化硅层形成之前，所述方法还包括下述步骤：

在所述无定型硅层上通过高温化学汽相沉积形成氮化硅层；

在所述氮化硅层通过沉积形成第二二氧化硅层。