[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内具有源漏掺杂区，所述基底和源漏掺杂区上具有介质层；

去除源漏掺杂区上的部分介质层，形成介质开口，所述介质开口底部暴露出源漏掺杂区的顶部表面；

去除介质开口底部的部分源漏掺杂区，在所述源漏掺杂区内形成源漏开口；

在所述源漏开口侧壁和底部表面形成金属硅化物层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括第一区和第二区；所述第一区用于形成NMOS晶体管；所述第二区用于形成PMOS晶体管。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏掺杂区包括：第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区，所述第一源漏掺杂区位于第一区的基底内，所述第二源漏掺杂区位于第二区的基底内；所述介质开口包括：第一介质开口和第二介质开口，所述第一介质开口位于第一源漏掺杂区上的介质层内，所述第二介质开口位于第二源漏掺杂区上的介质层内；所述源漏开口包括：第一源漏开口和第二源漏开口，所述第一源漏开口位于第一源漏掺杂区内，所述第二源漏开口位于第二源漏掺杂区内；所述金属硅化物层位于第一源漏开口和第二源漏开口内。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质开口的形成步骤包括：去除第一源漏掺杂区上的部分介质层，形成第一介质开口，所述第一介质开口底部暴露出第一源漏掺杂区的顶部表面；所述第二介质开口的形成步骤包括：去除第二源漏掺杂区上的部分介质层，形成第二介质开口，所述第二介质开口底部暴露出第二源漏掺杂区的顶部表面。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏开口的形成步骤包括：去除第一介质开口底部部分第一源漏掺杂区，在所述第一源漏掺杂区内形成第一源漏开口；所述第二源漏开口的形成步骤包括：去除第二介质开口底部部分第二源漏掺杂区，在所述第二源漏掺杂区内形成第二源漏开口。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第一源漏开口的过程中，所述第一源漏掺杂区的去除量为第一源漏掺杂区沿垂直于基底表面的方向上的初始尺寸的1/4～3/4。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二源漏开口的深度为：15纳米～30纳米。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏开口和第二源漏开口的形成工艺包括：各向异性干法刻蚀工艺。

9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，金属硅化物层的形成步骤包括：在所述第一源漏开口和第二源漏开口内形成金属层；对所述金属层进行退火处理，在所述第一源漏开口内和第二源漏开口内分别形成金属硅化物层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括：钛；所述金属硅化物层的材料包括：钛的金属硅化物。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二源漏开口之后，在所述第二源漏开口内形成所述金属硅化物层之前，还包括：在所述第二源漏开口内形成改善层，所述改善层中掺杂第一离子，所述第一离子用于降低所述金属硅化物层与第二源漏掺杂区之间的肖特基势垒；所述改善层的材料包括硅锗；第一离子包括：锗离子或者硼离子。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改善层的厚度为15纳米～30纳米。