[发明专利]阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置

权利要求书

1.一种制备阵列基板的方法，其特征在于，包括：

在衬底上设置薄膜晶体管，所述薄膜晶体管是通过以下步骤设置的：

在所述衬底上设置遮光层，所述遮光层的材料包括掺杂Ge的非晶硅，基于所述遮光层的总质量，Ge的含量为0.5-5wt％；

在所述遮光层远离所述衬底的一侧设置第一缓冲层；

在所述第一缓冲层远离所述遮光层的一侧设置有源层，

其中，所述遮光层、所述第一缓冲层以及所述有源层是通过下述方法设置的：

通过化学气相沉积，在所述衬底上依次形成第二缓冲层、Ge掺杂非晶硅层、氧化硅层以及非晶硅层；对所述非晶硅层进行激光退火处理，以便将所述非晶硅层转化为多晶硅层；对所述Ge掺杂非晶硅层、所述氧化硅层以及所述多晶硅层进行刻蚀处理，以便形成所述遮光层、第一缓冲层和所述有源层，其中，所述Ge掺杂非晶硅层是通过在所述化学气相沉积过程中，添加Ge源气体而形成的；或者，

通过化学气相沉积，在所述衬底上依次形成第二缓冲层、第一非晶硅层、氧化硅层以及第二非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行离子注入处理，以便形成Ge掺杂非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行激光退火处理，以便形成多晶硅层；对所述Ge掺杂非晶硅层、所述氧化硅层以及所述多晶硅层进行刻蚀处理，以便形成所述遮光层、第一缓冲层和所述有源层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在设置所述薄膜晶体管之前，进一步包括：

在所述衬底上设置第二缓冲层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述有源层远离所述第一缓冲层的一侧设置源极和漏极，所述源极和所述漏极分别设置在沟道区的两侧；以及

在所述有源层远离所述遮光层的一侧设置栅极，所述栅极设置在所述沟道区远离所述第一缓冲层的一侧。