[发明专利]阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置

说明书

本发明公开了阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置。该阵列基板包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括：遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上，所述遮光层的材料包括掺杂Ge的非晶硅；第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述遮光层远离所述衬底的一侧；有源层，所述有源层设置在所述第一缓冲层远离所述遮光层的一侧。由此，可以避免在光照时产生光生漏电流，进而可以提高该阵列基板的功能。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体地，涉及阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置。

背景技术

近年来，随着半导体技术的发展，液晶显示器等显示装置被越来越广泛的运用于各类电子设备中。与此同时，用户对于显示装置的性能，例如，显示器件的分辨率以及对比度等参数的要求也逐渐提高。为满足上述要求，进一步提高显示装置的性能，低温多晶硅(low temperature poly-silicon，LTPS)被越来越多的应用于显示面板中。低温多晶硅是一种具有高迁移率的半导体材料，利用其制备薄膜晶体管液晶显示屏(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的阵列基板，例如，形成阵列基板中薄膜晶管的有源层，可以降低薄膜晶体管的响应时间、降低阵列基板以及显示面板的能耗并且提高显示装置的分辨率以及对比度。

然而，目前的阵列基板、制备方法、显示面板以及显示装置，仍有待改进。

发明内容

本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：

发明人发现，目前利用LTPS为有源层材料的液晶显示器件，普遍存在阵列基板对于液晶层的控制能力不佳的问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于低温多晶硅材料的光敏感性较高，在背光穿过低温多晶硅形成的有源层时，低温多晶硅材料容易产生光生电子，进而影响LTPS的TFT特性，造成阈值电压(V_th)不稳定以及关态电流(I_off)增加，器件的开关比下降。为了解决这一问题，目前采用LTPS为有源层时，普遍需要在LTPS底层制作一层遮光层，防止有源层在背光的照射下产光生电流。目前的遮光层普遍采用金属材料或硅。然而，采用硅形成遮光层时，因硅材料的特性，导致仍有30～70％左右的高波长可见光(红光、绿光)可以透过，从而造成LTPS光生电子的产生。而采用金属材料制备遮光层时，虽然可以获得较好的遮光性能，然而金属材料容易导致遮光层处发生电荷累积，影响该阵列基板的电学性能。因此，如果可以在不影响阵列基板自身电学性能的前提下，提高遮光层的遮光效果，将大幅提高基于LTPS的显示器件的显示性能。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括：遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上，所述遮光层的材料包括掺杂Ge的非晶硅；第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述遮光层远离所述衬底的一侧；有源层，所述有源层设置在所述第一缓冲层远离所述遮光层的一侧。由此，可以避免在光照时产生光生漏电流，进而可以提高该阵列基板的功能。掺杂Ge的非晶硅对背光的红外部分吸收变强，从而增强遮光层的遮光能力，进而可以进一步提高显示装置的性能。

根据本发明的实施例，所述有源层包括低温多晶硅。由此，可以进一步提高该阵列基板的性能。

根据本发明的实施例，该阵列基板进一步包括：源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述有源层远离所述第一缓冲层的一侧，所述源极以及所述漏极分别设置在沟道区的两侧；栅极，所述栅极设置在所述有源层远离所述遮光层的一侧，且所述栅极设置在所述沟道区远离所述第一缓冲层的一侧。由此，可以进一步提高该阵列基板的性能。

根据本发明的实施例，基于所述遮光层的总质量，Ge的含量为0.5-5wt％。由此，可以进一步提高该遮光层的遮光的性能。