[发明专利]压缩成形装置、树脂封装品制造装置、压缩成形方法以及树脂封装品的制造方法有效
| 申请号： | 201710376340.8 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107424939B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 田村孝司 | 申请（专利权）人： | 东和株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B29C43/36;B29C43/50 |
| 代理公司： | 11285 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟守期;侯婧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压缩 成形 装置 树脂 封装 制造 方法 以及 | ||
提供一种不使用脱模膜并能够有效地将基板的双面进行压缩成形的压缩成形装置。一种包含具有上模100和下模200的成形模10的压缩成形装置，其特征在于，下模底面部件220的上表面的至少一部分构成下模型腔201的底面，下模侧面部件230的内侧面的至少一部分构成下模型腔201的侧面，通过下模型腔201和上模型腔131将配置在所述两个型腔之间的基板1的双面以压缩成形进行树脂封装，通过将下模底面部件220以及下模侧面部件230各自分别升降，将通过基板1的树脂封装得到的树脂封装品1B从下模型腔201脱模，通过使起模杆143从上模型腔131上表面突出，将树脂封装品1B从上模型腔131脱模。
技术领域
本发明涉及一种压缩成形装置、树脂封装品制造装置、压缩成形方法以及树脂封装品的制造方法。
背景技术
在将基板的单面或双面进行压缩成形时，为了使压缩成形(树脂封装)完毕的树脂封装品容易地脱模而使用脱模膜进行脱模(例如，专利文献1)。
现有技术文献：
专利文献
专利文献1:特开2005-225133号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，如使用脱模膜会使成本相应上升。并且，近年来例如出现了为了将电力设备(电力用半导体元件)进行树脂封装，而将封装厚度增厚，并将框架(基板)的双面进行树脂封装的品种。此时，如果为了增厚封装厚度而将型腔的深度加深的话，在型腔中覆盖脱模膜时，会担心由于脱模膜的拉伸量增多，而脱模膜破损无法成形。
于是，本发明的目的是提供一种不使用脱模膜并能够有效地将基板的双面进行压缩成形的压缩成形装置、树脂封装品制造装置、压缩成形方法以及树脂封装品的制造方法。
解决课题的方法
为了达成所述目的，本发明的压缩成形装置包含具有上模和下模的成形模并以下述为特征，即所述上模以及所述下模在各自相对的面上分别具有上模型腔和下模型腔，所述下模具有下模底面部件和下模侧面部件，所述下模底面部件的上表面的至少一部分构成所述下模型腔的底面，所述下模侧面部件的内侧面的至少一部分构成所述下模型腔的侧面，所述下模底面部件及所述下模侧面部件各自可分别升降，所述上模具有能够从所述上模型腔上表面进出的起模杆，通过所述下模型腔和所述上模型腔将配置在所述上模型腔和所述下模型腔之间的基板的双面以压缩成形进行树脂封装，通过使所述下模底面部件以及所述下模侧面部件各自分别升降，而使通过所述基板的树脂封装得到的树脂封装品从所述下模型腔脱模，并通过使所述起模杆从所述上模型腔上表面突出而将所述树脂封装品从所述上模型腔脱模。
本发明的树脂封装品制造装置以下述为特征，即具有接收作为流动性树脂原料的树脂材料的材料接收模块和至少一个成形模块，所述成形模块具有所述本发明的压缩成形装置，至少一个所述成形模块相对于所述材料接收模块可安装拆卸，至少一个所述成形模块相对于其他所述成形模块可安装拆卸。
本发明的压缩成形方法使用所述本发明的压缩成形装置或所述本发明的树脂封装品制造装置，包含将所述基板的双面以压缩成形进行树脂封装的压缩成形工序和在所述压缩成形之后，将所述树脂封装品从所述成形模脱模的脱模工序，其特征在于，在所述压缩工序中，通过所述下模型腔和所述上模型腔将配置在所述上模型腔和所述下模型腔之间的基板的双面以压缩成形进行树脂封装，在所述脱模工序中，通过使所述下模底面部件及所述下模侧面部件各自分别升降，而将所述树脂封装品从所述下模型腔脱模，并通过使所述起模杆突出于所述上模型腔上表面而将所述树脂封装品从所述上模型腔脱模。
本发明的树脂成形品的制造方法的特征在于，使用所述本发明的压缩成形方法来制造所述树脂封装品。
发明的效果
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
