[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上的待刻蚀材料层的表面上形成半导体层，所述半导体层的厚度范围为1-5nm；

在所述半导体层上形成非晶碳层，所述非晶碳层的厚度范围为10-1000nm；

在所述非晶碳层上形成图案化的掩模层；以及

以所述掩模层为掩模对所述非晶碳层、所述半导体层和所述待刻蚀材料层进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅层包括单晶硅层或非晶硅层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

通过直流叠加等离子体工艺形成所述硅层；或

对所述待刻蚀材料层的表面进行离子注入以形成所述硅层；或

通过原子层沉积工艺来形成所述硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述直流叠加等离子体工艺采用的源气体包括氮气、氩气、氦气、氢气或羟基流气体。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待刻蚀材料层包括层间电介质层；

所述层间电介质层被刻蚀以形成具有贯穿所述层间电介质层的接触孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

去除所述掩模层；

沉积金属材料以填充所述接触孔；以及

执行平坦化工艺，以去除剩余的非晶碳层、剩余的半导体层，从而使得剩余的金属材料的上表面与剩余的待刻蚀材料层的上表面基本齐平。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待刻蚀材料层包括栅极材料层；

所述栅极材料层被刻蚀以形成栅极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

去除所述掩模层、剩余的非晶碳层和剩余的半导体层。

10.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上的待刻蚀材料层的表面上形成半导体层，所述半导体层的厚度范围为1-5nm；

在所述半导体层上形成非晶碳层，所述非晶碳层的厚度范围为10-1000nm；

在所述非晶碳层上形成图案化的第一掩模层；

以所述第一掩模层为掩模、以所述半导体层为蚀刻停止层对所述非晶碳层进行刻蚀；

去除所述第一掩模层；

在剩余的非晶碳层的侧壁上形成第二掩模层；

去除所述剩余的非晶碳层；以及

以所述第二掩模层为掩模对所述半导体层和所述待刻蚀材料层进行刻蚀。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括硅层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述硅层包括单晶硅层或非晶硅层。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，

通过直流叠加等离子体工艺形成所述硅层；或

对所述待刻蚀材料层的表面进行离子注入以形成所述硅层；或

通过原子层沉积形成所述硅层。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述直流叠加等离子体工艺采用的源气体包括氮气、氩气、氦气、氢气或羟基流气体。