[发明专利]制造半导体器件的方法、半导体衬底组件和管芯组件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

从主表面（101）向半导体衬底（100）中刻蚀分离凹槽（150），其中所述分离凹槽（150）使芯片区（110）在平行于所述主表面（101）的水平方向上分离，并且其中所述分离凹槽（150）中的至少一些与半导体衬底（100）的横向外表面（103）隔开至多第一距离（ex1）；以及

沿着横向外表面（103）形成凹口（158），其中所述凹口（158）从所述主表面（101）延伸到所述半导体衬底（100）中，最小水平凹口宽度（ex2）等于或大于第一距离（ex1），并且所述凹口（158）关于所述主表面（101）的垂直延伸（v2）等于或大于所述分离凹槽（150）的垂直延伸（v1），其中第一距离（ex1）大于边缘排除条带的边缘排除宽度（ex0）。

2.权利要求1所述的方法，进一步包括：

从与所述主表面（101）相对的后侧去除所述半导体衬底（100）的未经切割的区段（120），其中从后侧暴露所述分离凹槽（150）并且从所述芯片区（110）获得经隔离的半导体管芯（210）。

3.权利要求2所述的方法，进一步包括：

将可伸展拾取带（320）附接在通过去除所述未经切割的区段（120）而暴露的所述经隔离的半导体管芯（210）的一侧。

4.权利要求2和3中的任一项所述的方法，其中

所述半导体衬底（100）的所述未经切割的区段（120）通过研磨来去除。

5.权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中

所述分离凹槽（150）包括平行的第一分离凹槽（151）和平行的第二分离凹槽（152），所述第二分离凹槽（152）与所述第一分离凹槽（151）正交地相交。

6.权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中

所述凹口（158）至少包括圆的片段，所述圆具有与半导体衬底（100）的中心轴一致的中心点。

7.权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中

机械地形成所述凹口（158）。

8.权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中

通过圆形切割来形成所述凹口（158）。

9.权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中

通过刻蚀来形成所述凹口（158）。

10.权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中

在所述分离凹槽（150）的刻蚀期间，环形陶瓷框架至少覆盖沿着所述横向外表面（103）的边缘排除区域的部分。

11.权利要求1至3中的任一项所述的方法，进一步包括

在形成所述凹口（158）之后将刚性载体构件（310）附接在所述主表面（101）上。

12.权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中

所述分离凹槽（150）包括残段，所述残段延伸到由所述半导体衬底（100）的部分形成的衬底环（180）中。

13.权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中

形成所述分离凹槽（150）包括在所述主表面（101）上形成刻蚀掩模（400），所述刻蚀掩模包括在所述芯片区（110）的垂直投影中的经隔离的掩模部分（410），其中使所述掩模部分（410）彼此分离的掩模沟槽（450）在纵向端面处终止。