[发明专利]制造半导体器件的方法、半导体衬底组件和管芯组件

说明书

本发明涉及将半导体管芯从半导体衬底分离的方法、半导体衬底组件以及半导体管芯组件。从主表面（101）向半导体衬底（100）中刻蚀分离凹槽（150）。所述分离凹槽（150）使芯片区（110）在平行于主表面（101）的水平方向上分离。所述分离凹槽（150）中的至少一些与所述半导体衬底（100）的横向外表面（103）隔开至多第一距离（ex1）。沿着横向表面（103）形成凹口（158）。凹口（158）从主表面101延伸到半导体衬底（100）中。凹口（158）的最小水平凹口宽度（ex2）等于或大于第一距离（d1）。凹口158关于主表面（101）的垂直延伸（v2）等于或大于分离凹槽（150）的垂直延伸（v1）。

背景技术

管芯单体化表示将各个半导体芯片或半导体管芯从半导体晶片隔离的工艺。通过划片和断裂（例如，通过机械锯切或激光切割）完成的切割工艺沿着切口线对半导体管芯进行分离。在切割之后，各个半导体芯片通常被安装到芯片载体和/或包封在芯片外壳中。DBG（研磨前切割）首先通过使用半分割切割器来对晶片进行不完全切割，所述半分割切割器在晶片正面上的芯片区之间形成切割道。切割道的深度等于或大于半导体芯片的最终目标厚度。固定到经切割的表面的刚性载体构件使经半切割的晶片在研磨工艺期间稳定，所述研磨工艺将晶片从未经切割的表面减薄到最终目标厚度。研磨工艺使切割道暴露并且完成半导体芯片的分离。柔性拾取带被附接到半导体芯片的与研磨带相对的一侧上，所述研磨带在下面被移除。拾取带可以将经分离的半导体芯片保持在适当的位置，直到处理装置或操作员拾取所述半导体芯片以进行进一步处理，例如进行封装或安置。

需要改进用于管芯单体化的工艺（诸如DBG）的产量。

发明内容

通过独立权利要求的主题内容来实现所述目标。另外的实施例是从属权利要求的主题。

根据实施例，一种制造半导体器件的方法包括从主表面向半导体衬底中刻蚀分离凹槽。所述分离凹槽使芯片区在平行于主表面的水平方向上分离。所述分离凹槽中的至少一些与横向外表面之间的距离至多是第一距离。形成沿着横向外表面从主表面延伸到半导体衬底中的凹口。最小水平凹口宽度等于或大于所述第一距离，并且所述凹口关于所述主表面的垂直延伸等于或大于所述分离凹槽的垂直延伸。

根据另一个实施例，一种半导体衬底组件包括半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区，所述芯片区通过相等地隔开的、平行的第一分离凹槽并且通过相等地隔开的、平行的第二分离凹槽水平地分离，所述第一分离凹槽和所述第二分离凹槽从主表面延伸到半导体衬底中，其中所述第二分离凹槽与所述第一分离凹槽正交地相交。分离凹槽中的至少一些与所述半导体衬底的横向外表面隔开至多第一距离。沿着所述主表面与横向表面形成的边缘，凹口从所述主表面延伸到所述半导体衬底中。所述凹口关于所述主表面的垂直延伸等于或大于所述分离凹槽的垂直延伸，并且最小水平凹口宽度等于或大于所述第一距离。

根据另外的实施例，一种半导体管芯组件包括多个半导体管芯，所述半导体管芯分别通过相等地隔开的分离沟槽在两个正交水平方向上分离。所述半导体管芯布置在围绕所述半导体管芯组件的中心轴具有第一半径的圆内。第一半径比晶片标准半径小至少1mm并且至多5mm的凹口宽度。所述半导体管芯组件另外包括刚性载体构件和柔性拾取带中的至少一个。载体构件通过辐射或热释放粘附膜而粘附到在所述半导体管芯的正面处的第一表面上。柔性拾取带通过辐射或热释放粘附膜而粘附到在所述半导体管芯的背部上的第二表面上。

本领域技术人员在阅读下面的详细描述并且查看附图时将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入在本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示本发明的实施例并且连同描述一起用于解释本发明的原理。将容易领会本发明的其他实施例和意图的优点，因为它们通过参考下面的详细描述而变得更好理解。

图1A是在形成刻蚀掩模之后的、根据实施例图示一种用于通过“研磨前切割”工艺将半导体管芯从半导体衬底分离的方法的、半导体衬底的部分的示意性俯视图，所述实施例涉及终止的掩模凹槽和最初终止的分离凹槽。