[发明专利]一种优质土豆的温棚培育法

权利要求书

1.一种优质土豆的温棚培育法，其特征在于，包括以下步骤：

选种称量，选取重量在100g-150g之间、表皮光滑、大小均匀、无病虫害的土豆块茎作为薯种；

清洗风干，采用自来水和草木灰形成的混合皂化液对上述薯种浸泡1-2小时，清洗并滤干，置于阴凉处晾干；

土质处理，将砂质土壤翻开曝晒至少一天后，放置在温棚内备用；

托盘催芽，在恒温12-15℃的育苗温室内通风阴凉处放置托盘，托盘底部铺设上述砂质土壤，每个托盘中施以5-7公斤的农家肥，并将晾干的薯种均匀平铺在施肥后的砂质土壤上，相邻的薯种间距250-300mm，浇水至土壤湿润，待托盘中薯种冒芽之后，覆盖上层砂质土壤，浇水至土壤湿润，并在表层覆盖塑料薄膜；

温棚种植，将催芽成功覆盖薄膜的薯种连同托盘转移至恒定16-25℃的种植温棚中，待土豆长出土面后，拨开薄膜，然后按土豆的生长周期进行间苗、除草、培土、浇水步骤至收获。

2.根据权利要求1所述的一种优质土豆的温棚培育法，其特征在于：所述托盘为1000mm×1000mm，高度为400mm的立方托盘，底部均匀分布有若干气孔。

3.根据权利要求1所述的一种优质土豆的温棚培育法，其特征在于：所述托盘催芽阶段，薯种底层砂质土壤厚度为200-300mm，所述薯种表层砂质土壤厚度为150-200mm。

4.根据权利要求1所述的一种优质土豆的温棚培育法，其特征在于：所述托盘催芽阶段，每个托盘内的薯种分布不大于10个。

5.根据权利要求1所述的一种优质土豆的温棚培育法，其特征在于：所述温棚移植阶段，托盘呈行摆放，行内托盘间间距为250-300mm，行间距为800-1000mm。

6.根据权利要求1所述的一种优质土豆的温棚培育法，其特征在于：所述温棚种植阶段，种植温棚内温度按以下阶段控制，土豆芽萌发阶段为18-25℃，块茎形成阶段为16-22℃。

7.根据权利要求1所述的一种优质土豆的温棚培育法，其特征在于：所述温棚种植阶段，每日保证11-13小时光源照射。

8.根据权利要求1所述的一种优质土豆的温棚培育法，其特征在于：所述温棚种植阶段，保证土壤含水量为托盘内土壤最大含水量的70％-80％。

9.根据权利要求1所述的一种优质土豆的温棚培育法，其特征在于：所述皂化液由草木灰和自来水按1:100的组分配置而成。