[发明专利]一种优质土豆的温棚培育法

说明书

技术领域

本发明涉及土豆种植领域，尤其涉及一种优质土豆的温棚培育法。

背景技术

马铃薯是中国五大主食之一，其营养价值高、适应力强、产量大，是全球第三大重要的粮食作物，仅次于小麦和玉米，其制成的薯条、薯片等快餐深受人们喜爱。然而在土豆的种植过程中，为了降低病虫害并提高产量，人们通常采用化肥和农药对其生长过程进行控制，导致土豆的品质和食用价值下降。现有的专利技术中，虽然也有一些无化肥使用的培育方法，但在具体实施过程中，仍免不了采取一些化学试剂进行消毒和除草，因此，为了人们的食用安全，培育一种纯天然的优质土豆显得尤为必要。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术的不足，提供了及一种优质土豆的温棚培育法，未使用任何化肥和农药，大大改善了土豆的品质。

本发明是通过以下技术方案实现：

一种优质土豆的温棚培育法，包括以下步骤：

选种称量，选取重量在100g-150g之间、表皮光滑、大小均匀、无病虫害的土豆块茎作为薯种；

清洗晾干，采用自来水对上述薯种清洗并滤干，置于阴凉处晾干；

土质处理，将砂质土壤翻开曝晒至少一天后，放置在温棚内备用；

托盘催芽，在恒温12-15℃的育苗温室内通风阴凉处放置托盘，托盘底部铺设上述砂质土壤，每个托盘中施以5-7公斤的农家肥，并将晾干的薯种均匀平铺在施肥后的砂质土壤上，相邻的薯种间距250-300mm，浇水至土壤湿润，待托盘中薯种冒芽之后，覆盖上层砂质土壤，浇水至土壤湿润，并在表层覆盖塑料薄膜；

温棚种植，将催芽成功覆盖薄膜的薯种连同托盘转移至恒定16-25℃的种植温棚中，待土豆长出土面后，拨开薄膜，然后按土豆的生长周期进行间苗、除草、培土、浇水步骤至收获。

进一步的，所述托盘为1000mm×1000mm，高度为400mm的立方托盘，底部均匀分布有若干气孔。

进一步的，所述托盘催芽阶段，薯种底层砂质土壤厚度为200-300mm，所述薯种表层砂质土壤厚度为150-200mm。

进一步的，所述托盘催芽阶段，每个托盘内的薯种分布不大于10个。

进一步的，所述温棚移植阶段，托盘呈行摆放，行内托盘间间距为250-300mm，行间距为800-1000mm，行间可供行人通过，便于田间管理。

进一步的，所述温棚种植阶段，种植温棚内温度按以下阶段控制，土豆芽萌发阶段为18-25℃，块茎形成阶段为16-22℃。

进一步的，所述皂化液由草木灰和自来水按1:100的组分配置而成，自来水经过净化有消毒作用，草木灰中的钾元素可以刺激土豆的发芽及生长。

与现有的技术相比，本发明具有以下有益效果：本发明从选种阶段进行控制，选取整块的大小均匀无病虫害的土豆作为薯种，而不采用切片的方法，杜绝了切片时需要消毒引起的化学污染；经过清洗晾干，自来水本来经过净化有消毒作用；全程通过温室培育，防止了外界病虫害的侵扰，土壤经过曝晒后杀死了大部分的病菌和杂草，托盘隔绝了外界土壤中的其他不利因素，因此不用使用任何其他的化学肥料和农药，有利于土豆的品质；整个培育过程中仅使用农家肥，而且采用科学的方法控制土豆生长的生产环境，最大幅度的提高了土豆产量，改善了土豆的品质。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

一种优质土豆的温棚培育法，包括以下步骤：选取重量在100g-150g之间、表皮光滑、大小均匀、无病虫害的土豆块茎作为薯种；采用自来水对上述薯种清洗并滤干，置于阴凉处晾干；将砂质土壤翻开曝晒一天后，放置在温棚内备用；在恒温12-15℃的育苗温室内通风阴凉处放置托盘架，托盘架上分层放置1000×1000×500的托盘，托盘底部铺设砂质土壤，每个托盘中施以5-7公斤的农家肥，并将晾干的薯种均匀平铺在施肥后的砂质土壤上，相邻的薯种间距250-300mm，浇水至土壤湿润，待托盘中薯种冒芽之后，覆盖上层砂质土壤，浇水至土壤湿润，并在表层覆盖塑料薄膜；将催芽成功覆盖薄膜的薯种连同托盘转移至恒定16-25℃的种植温棚中，待土豆长出土面后，拨开薄膜，然后按土豆的生长周期进行常规的间苗、除草、培土、浇水步骤至收获，由于土豆生长的特殊性，一般不需要追肥。

在本发明的一个优选实施例中，所述托盘底部均匀分布有若干气孔。