[发明专利]一种用于检测花青素的分子印迹传感器的制备方法

权利要求书

1.一种用于检测花青素的分子印迹传感器的制备方法，特征在于，该方法具有以下工艺步骤：

(1)石墨烯修饰玻碳电极制备：将玻碳电极依次用0.2μm、0.01μm抛光粉进行表面抛光，然后用二次蒸馏水超声清洗，吹干，在玻碳电极表面滴加12～15μL含氧化石墨烯为0.3g/L的N,N-二甲基甲酰胺分散液，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得石墨烯修饰玻碳电极；

(2)花青素分子印迹聚合物的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，去离子水：15～20％，无水乙醇：50～60％，二甲基丙烯酸乙二醇酯：6～10％，乌头酸：5～8％，1-丙烯基-3-甲基咪唑溴盐：10～15％，偶氮二异庚腈：1.0～3％，花青素：0.2～2.0％，各组分含量之和为百分之百，搅拌溶解，通惰性气体除氧20min，无氧氛围，55±2℃搅拌反应12～15h，将得到的产物用乙醇：乙酸体积比为8:1混合溶液浸泡6～8h，除去模板分子，干燥，即得花青素分子印迹聚合物；

(3)花青素分子印迹传感器的制备方法：取适量的花青素分子印迹聚合物分散于1％的动物胶溶液中，制得18g/L的花青素分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液12～15μL滴加到步骤(2)制备的石墨烯修饰玻碳电极，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得花青素分子印迹传感器。

2.根据权利要求1所述的一种用于检测花青素的分子印迹传感器的制备方法，特征在于，在步骤(2)中所述的二甲基丙烯酸乙二醇酯与乌头酸摩尔比为1：1。

3.根据权利要求1所述的一种用于检测花青素的分子印迹传感器的制备方法，特征在于，在步骤(2)中所述的1-丙烯基-3-甲基咪唑溴盐与乌头酸摩尔比为1：1。