[发明专利]基板保持装置有效
申请号: | 201710379326.3 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN107452665B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 石野智浩;菊地真哉 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 装置 | ||
本发明提供一种基板保持装置。该基板保持装置能够谋求抑制基体、以及基体所支承的基板在槽的上方凹陷。基板保持装置(100)在形成有在上表面开口的通气孔(11)的平板状的基体(10)上形成有自基体(10)的上表面朝向上方突出的多个凸部(21)。在基体(10)上形成有在下表面开口并与通气孔(11)连通的槽(12),在槽(12)上形成有向下方突出的多个凸部(22)。
技术领域
本发明涉及一种将半导体晶圆等的基板吸附并保持于基体的基板保持装置。
背景技术
以往以来,在半导体制造系统等中,使用有这样一种基板保持装置:在支承基板的基体的上表面以及设于平台的基体的下表面上形成多个凸部(销),利用该凸部保持基板(例如参照专利文献1)。
另外,还公知有这样一种基板保持装置:具备在基体的下表面具有开口的槽,槽与在基体的上表面开口的通气孔连通并形成通气路径,基体的下表面侧支承于平台,通气路径与真空吸引装置连接。
专利文献1:日本特许第4333065号公报
发明内容
然而,由于基体在槽处未支承于平台,因此,存在有基体、以及基体所支承的基板在槽的上方凹陷的问题。
于是,本发明的目的在于提供一种能够谋求抑制基体、以及基体所支承的基板在槽的上方凹陷的基板保持装置。
本发明提供一种基板保持装置,该基板保持装置在形成有在上表面开口的一个或多个通气孔的平板状的基体上,形成有自所述基体的上表面朝向上方突出的多个上表面凸部,其特征在于,在所述基体上形成有在下表面开口并与所述通气孔连通的槽,在所述槽上形成有向下方突出的多个第1下表面凸部。
根据本发明的基板保持装置,基体不仅利用基体的下表面,还利用自槽向下方突出的第1下表面凸部支承于用于支承基体的平台等。由此,能够谋求抑制基体、以及基板在槽的上方凹陷。
在本发明的基板保持装置中,优选的是,以自所述基体的下表面向下方突出的方式形成有第1下表面环状凸部和第2下表面环状凸部,该第1下表面环状凸部呈环状地包围所述槽,该第2下表面环状凸部呈环状地包围所述第1下表面环状凸部,在所述第1下表面环状凸部与所述第2下表面环状凸部之间形成有自所述基体的下表面朝向下方突出的第2下表面凸部。
该情况下,基体除了利用两个环状凸部的下端面和凸部的下端面以外,还利用自槽向下方突出的第1下表面凸部支承于用于支承基体的平台等。由此,能够谋求抑制基体、以及基板在槽的上方凹陷。
另外,在本发明的基板保持装置中,优选的是,所述第1下表面凸部的下端面和所述第2下表面凸部的下端面位于大致同一平面上,并且,所述第1下表面环状凸部的下端面和所述第2下表面环状凸部的下端面位于比所述第1下表面凸部和第2下表面凸部低1μm以上且5μm以下的位置。
这是因为,在该情况下,能够降低与所设置的平台之间的接触面积,能够减少由微粒导致的表面精度的恶化的风险。
另外,所述第1下表面凸部的下端面和所述第2下表面凸部的下端面位于大致同一平面上并不限定于完全位于同一平面上的情况,只要能够在对支承于基体的上表面侧的基板进行各种工序时确保各工序所需要的平面度,就也包含实质上位于同一平面的情况。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式所涉及的基板保持装置的基体的示意仰视图。
图2是图1的II-II线处的基板保持装置的示意剖视图。
图3是本发明的第2实施方式所涉及的基板保持装置的基体的示意仰视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造