[发明专利]一种BCD器件及其制造方法

权利要求书

1.一种BCD器件，其特征在于：其元胞结构包括衬底(1)、第一外延层(2)、第二外延层(21)，第一P隔离(311)，第二P隔离(312)，第三P隔离(313)，第一P阱(31)，第三P阱(33)，第四P阱(34)，DMOS源极P型重掺杂区(310)，第三P型重掺杂区(37)，第四P型重掺杂区(38)，第五P型重掺杂区(39)，DMOS源极N型重掺杂区(4)，DMOS漏极N型重掺杂区(41)，第二N型重掺杂区(43)，第三N型重掺杂区(44)，第四N型重掺杂区(45)，第五N型重掺杂区(46)，DMOS源电极(5)，第一P阱(31)的接触电极(51)，DMOS栅电极(6)，PMOS栅电极(62)，NMOS栅电极(63)，PMOS源电极(11)，PMOS漏电极(13)，NMOS源电极(12)，NMOS漏电极(14)，DMOS漏电极(7)，BJT基极电极(8)，BJT发射极电极(9)，BJT集电极电极(10)；

所述第一外延层(2)设置在衬底(1)的上表面，所述第二外延层(21)设置在第一外延层(2)的上表面，所述第一P隔离(311)设置在第一P阱(31)的左侧，其下表面与衬底(1)的上表面相接触，所述第一P阱(31)的上表面与第二外延层(21)的上表面相连接，所述第一P阱(31)内部设置有相互独立的DMOS源极P型重掺杂区(310)与DMOS源极N型重掺杂区(4)，所述DMOS漏极N型重掺杂区(41)设置于第一P阱(31)的右侧，所述第二P隔离(312)设置在DMOS漏极N型重掺杂区(41)的右侧，其下表面与衬底(1)的上表面相接触，所述第三P型重掺杂区(37)设置在第二P隔离(312)的右侧，所述第四P型重掺杂区(38)设置在第三P型重掺杂区(37)的右侧，所述第三P阱(33)设置在第四P型重掺杂区(38)的右侧，所述第三P阱(33)内部设置有相互独立的第二N型重掺杂区(43)和第三N型重掺杂区(44)，所述第三P隔离(313)设置在第三P阱(33)的右侧，其下表面与衬底(1)的上表面相接触，所述第四P阱(34)设置在第三P隔离(313)的右侧，所述第四P阱(34)内部设置有相互独立且相互之间有间隔的第五P型重掺杂区(39)和第四N型重掺杂区(45)，所述第五N型重掺杂区(46)设置在第四P阱(34)的右侧，所述DMOS源电极(5)设置在DMOS源极N型重掺杂区(4)的上方，所述第一P阱(31)的接触电极(51)设置在DMOS源极P型重掺杂区(310)的上方，所述DMOS栅电极(6)设置在第一P阱(31)的上方，其左端部分覆盖DMOS源极N型重掺杂区(4)且不与DMOS源电极(5)相接触，所述PMOS栅电极(62)设置在第三P型重掺杂区(37)与第四P型重掺杂区(38)的上方，其左端部分覆盖第三P型重掺杂区(37)且不与PMOS源电极(11)相接触，其右端部分覆盖第四P型重掺杂区(38)且不与PMOS漏电极(13)相接触；所述NMOS栅电极(63)设置在第二N型重掺杂区(43)和第三N型重掺杂区(44)的上方，其左端部分覆盖第二N型重掺杂区(43)且不与NMOS漏电极(14)相接触，其右端部分覆盖第三N型重掺杂区(44)且不与NMOS源电极(12)相接触；所述DMOS漏电极(7)设置在DMOS漏极N型重掺杂区(41)的上方，所述BJT基极电极(8)设置在第五P型重掺杂区(39)的上方，所述BJT发射极电极(9)设置在第四N型重掺杂区(45)的上方，所述BJT集电极电极(10)设置在第五N型重掺杂区(46)的上方，所述PMOS源电极(11)设置在第三P型重掺杂区(37)的上方，所述PMOS漏电极(13)设置在第四P型重掺杂区(38)的上方，所述NMOS源电极(12)设置在第三N型重掺杂区(44)的上方，所述NMOS漏电极(14)设置在第二N型重掺杂区(43)的上方；

第二外延层(21)的上方含有第3外延层(2-3)、第4外延层(2-4)……第N外延层(2-N)，其中N＝3，4，5，6……。

2.根据权利要求1所述的一种BCD器件，其特征在于：包含P型掺杂区(314)，其上表面与第二外延层(21)的上表面相切，所述P型掺杂区(314)设置在第一P阱(31)和DMOS漏极N型重掺杂区(41)之间。