[发明专利]制造半导体封装的方法有效

专利信息
申请号: 201710384201.X 申请日: 2017-05-26
公开(公告)号: CN107452725B 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 郑心圃;洪瑞斌;许峰诚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/98
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 制造 半导体 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种制造半导体封装的方法,所述方法包括:

提供衬底;

在所述衬底上方形成互连层;

在所述互连层上方形成多个导电垫,所述导电垫包括至少一个测试垫;

在所述互连层上方形成多个导电柱,所述导电柱包括不同长度,所述导电柱立于所述互连层上;

在形成所述导电柱之后执行对所述互连层的第一测试;

将第一半导体裸片放置于所述导电垫上方,所述第一半导体裸片与所述导电柱间隔开;

囊封所述第一半导体裸片、所述导电柱和所述导电垫;

暴露所述第一半导体裸片的顶部表面和所述导电柱的顶部表面;

将第二半导体裸片透过连接件与所述导电柱接合;以及

薄化所述互连层以暴露所述互连层的导电部分。

2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在形成所述互连层之前在所述衬底上方提供粘合剂层。

3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

在所述导电部分处形成电连接所述互连层的连接器。

4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括填充所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间的间隙。

5.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括横向地囊封所述第二半导体裸片。

6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在所述第一半导体裸片的同一侧上将集成无源装置电连接到所述互连层。

7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在与所述第一半导体裸片相对的同一侧上将集成无源装置和连接器接合到所述互连层。

8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在将所述第二半导体裸片与所述导电柱接合之前执行对所述互连层和所述第一半导体裸片的第二测试。

9.一种制造半导体封装的方法,所述方法包括:

提供第一衬底;

在所述第一衬底上方形成互连层;

在所述互连层上方形成多个导电垫,所述导电垫包括至少一个测试垫;

在所述互连层上方形成多个导电柱,所述导电柱包括不同长度,所述导电柱立于所述互连层上;

在形成所述导电柱之后,通过所述互连层上方的所述至少一个测试垫执行对所述互连层的第一测试;

将第一半导体裸片与所述导电垫接合;

以囊封材料囊封所述第一半导体裸片和所述导电垫;

暴露所述第一半导体裸片的顶部表面;

在与所述第一衬底相对的一侧上将第二衬底放置于所述第一半导体裸片上方及所述囊封材料上方;

从所述互连层的第一表面移除所述第一衬底;以及

在所述第一表面上形成连接器。

10.根据权利要求9所述的方法,其进一步包括:

移除所述第二衬底;

暴露所述导电柱;以及

将第二半导体裸片与所述导电柱接合。

11.根据权利要求10所述的方法,其进一步包括在将所述第二半导体裸片与所述导电柱接合的操作之后执行单粒化操作。

12.根据权利要求9所述的方法,其中所述第一衬底和所述第二衬底中的至少一者是选自玻璃、陶瓷或硅。

13.根据权利要求9所述的方法,其进一步包括在与所述第一半导体裸片相对的一侧上将集成无源装置接合到所述互连层。

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