[发明专利]制造半导体封装的方法

说明书

本揭露提供一种制造半导体封装的方法。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上方形成互连层；在所述互连层上方形成多个导电垫；在所述互连层上方形成导电柱；将第一半导体裸片放置于所述导电垫上方，所述半导体裸片与所述导电柱间隔开；及将第二半导体裸片与所述导电柱接合。

优先权主张及交叉参考

本申请案主张2016年5月31日申请的美国专利申请案序号62/343,402的优先权，所述案揭露的全文特此以引用的方式并入。

技术领域

本发明实施例是关于一种制造半导体封装的方法。

背景技术

涉及半导体装置的电子设施对于诸多现代应用是必要的。材料及设计的技术进步已产生数代半导体装置，其中各代具有比前一代更小且更复杂的电路。在进展及创新的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连装置的数目)已大体上增加，而几何大小(即，可使用工艺产生的最小组件)已减小。这些进步已增加处理及制造半导体装置的复杂性。

随着技术的演进，考虑到更小尺寸以及功能性及电路量的增加，装置的设计变得更为复杂。许多制造操作实施于此小的且高性能的半导体装置内。以小型化规模制造半导体装置变得更为复杂，且制造复杂性的增加可引起不足，例如高良率损失、电互连的不良可靠性、低测试涵盖范围等。因此，需持续修改电子设施中的装置的结构及制造方法以改进装置稳健性以及降低制造成本且减少处理时间。

发明内容

在本发明的实施例中，一种制造半导体封装的方法包括：提供衬底；在所述衬底上方形成互连层；在所述互连层上方形成多个导电垫；在所述互连层上方形成导电柱；将第一半导体裸片放置于所述导电垫上方，所述半导体裸片与所述导电柱间隔开；及将第二半导体裸片与所述导电柱接合。

在本发明的实施例中，一种制造半导体封装的方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上方形成互连层；在所述互连层上方形成多个导电垫；将第一半导体裸片与所述多个导电垫接合；将第二衬底放置于与所述第一衬底相对的侧上在所述第一半导体裸片上方；从所述互连层的第一表面移除所述第一衬底；及在所述第一表面上形成连接件。

在本发明的实施例中，一种半导体封装包括：互连层：在所述互连层上方的多个导电柱：与所述互连层接合的第一半导体裸片：与所述互连层接合的集成被动装置，其中所述集成被动装置放置于所述第一半导体裸片的相同侧上：与所述导电柱接合的第二半导体裸片：及包围所述第一半导体裸片及所述集成被动装置的囊封材料。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下实施方式最佳理解本揭露的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各个构件未按比例绘制。事实上，为清楚论述，可任意增大或减少各个构件的尺寸。

图1A是根据本揭露的各种实施例的半导体封装结构的示意图。

图1B是根据本揭露的各种实施例的图1A中的半导体封装结构的剖面俯视图。

图2A到2R是根据各种实施例的制造图1A中的半导体封装结构的方法的中间结构的剖面图。

图3是根据一些实施例的制造图2A到2R中的半导体封装结构的流程图。

图4A到4E是根据各种实施例的制造半导体封装结构的方法的一些中间结构的剖面图。

图5是根据一些实施例的制造图2A到2M及图4A到4E中的半导体封装结构的流程图。

图6A到6F是根据各种实施例的制造半导体封装结构的方法的一些中间结构的剖面图。

图7是根据一些实施例的制造图2A到2L及图6A到6F中的半导体封装结构的流程图。

具体实施方式